ZT:Moore定律遇到挑战, 半导体技术发展面临方向性选择
发布时间：2010-4-8 09:31
发布者：步从容
|
集成电路特征尺寸已接近22纳米。过了这一节点之后，集成电路工艺就需要做出重大变革。对这一问题，业界很有影响的 EETIMES 杂志最近发表系列文章进行深入分析： Lithography's generation gap http://www.eetimes.com/news/semi/showArticle.jhtml?articleID=224000217 Lithography 是集成电路自开始以来一直使用的主流工艺。该文说,现有的 Lithography 技术已经接近尽头.如果找不到好的替代技术，那么Moore定律就会走到尽头，集成电路的发展就会大大减缓。 目前有四种潜在的替代技术(称为NGL, Next Generation Lithography),它们分别是: EUV, Nanoimprint, multibeam和 self-assembly. 半导体行业面临的困境是，不清楚那种技术真正有前途。 迄今为止， 人们在EUV技术上花费的投资最多，研发时间最长。INTEL曾经认为，2005年该技术可以商业化。但是，INTEL现在把这个时间表推到2012年以后。EUV的研发机构认为他们还需要大量的投资。 有不少人认为，EUV方向走错了，如果投资于其他技术更有前途。另一方面，其他几项技术目前还处在研究状态，离开商业化的距离比较远。 EETIMES说，半导体行业处在十字路口，人们不清楚应该继续向 EUV方向发展，还是另选其他技术。 相关文献和讨论： EUV camp drops ball on metrology http://eetimes.com/news/latest/showArticle.jhtml?articleID=224000218 Point/Counterpoint: What's the right path for litho? http://eetimes.com/news/latest/showArticle.jhtml?articleID=224000269 |
网友评论