莱迪思白皮书
2020年4月
过去几年里，嵌入式视觉应用大量涌现，包括从相对简单的智能视觉门铃到执行随机拾取和放置操作的复杂的工业机器人，再到能够在无序、地形不断变化的环境中导航的 ...
Xilinx 提供了UltraScale FPGA器件的高性能DDR4内存解决方案，每秒数据速率高达2400Mb。UltraScale器件采用ASIC级架构，可支持大量I/O和超大存储带宽，并能够大幅降低功耗和时延。赛灵思稳定可 ...
英特尔的SoC开发套件提供了开发定制ARM快速和简单的方法*处理器的SoC设计。设计生产率是Arria 10 SoC架构的驱动理念之一。Arria 10 SoC提供与上一代SoC的完全软件兼容性，广泛的ARM软件和工具生 ...
随着全球首个28nmFPGA的推出，赛灵思为设计人员提供了最广泛的可编程平台，包括新型器件的多功能性。Xilinx Kintex™-7 FPGA的价格性能翻了一番，功耗和成本降低了一半，是当今无线通信等 ...
尽管现代FPGA包含内部存储器，但可用存储器的数量始终比专用存储器芯片的存储器数量级低几个数量级。因此许多FPGA设计人员在其FPGA上附加某种类型的存储器也就不足为奇了。由于其高速和低成本， ...
贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起开始备货Microchip Technology的Hello FPGA套件。此套件是一个入门级平台，专为在现场可编程门阵列 (FPGA) 领域经验不足的终端用户而开发。Hello FPGA套件 ...
Speedster 7t FPGA上的二维片上网络（2D NoC）支持高带宽数据加速应用
作者：黄仑，Achronix资深现场应用工程师
1. 概述
在摩尔定律的推动下，集成电路工艺取得了高速发展，单位面积上 ...
Achronix创新的机器学习处理器（MLP）突破传统FPGA时序性能瓶颈
作者：杨宇，Achronix资深现场应用工程师
MLP_Conv2D是功能齐全的设计，可将2D输入图像与多个内核同时进行卷积。 该设计充 ...
everspin在此生产基于180nm，130nm和90nm工艺技术节点的MRAM产品。产品包装和测试业务遍及中国，台湾和其他亚洲国家。在平面内和垂直磁隧道结（MTJ）STT-MRAM位单元的开发方面处于市场领先地位 ...
在新型 RAM 技术中，MRAM 对物联网和边缘计算设备具有特别有吸引力。因为它能实现比目前这类硬件上的首选存储类内存 -NAND闪存-低得多的功耗，同时实现非易失性数据存储。非易失性MRAM 本身访问 ...
MRAM技术是以可沉积在标准逻辑制程上的磁性隧道结 (MTJ)储存单元为基础，MTJ中包含了一个维持单一极性方向的固定层，和一个通过隧道结与其隔离的自由层。当自由层被施予和固定层相同方向的极化 ...
eMRAM属于新型存储技术，同目前占据市场主流的NAND闪存相比较，其具有更快的存取速度和更高的耐用性，在边缘设备中具有替代NAND闪存和部分SRAM芯片的潜质。它在22nm的工艺下投产，将会加快新型 ...
