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共找到与 "MRAM" 相关的文章 137
  • Everspin串口串行MRAM演示软件分析
    Everspin在磁存储器设计,制造和交付给相关应用方面的知识和经验在半导体行业中是独一无二的。在平面内和垂直磁隧道结(MTJ)STT-MRAM位单元的开发方面处于市场领先地位。包括40nm,28nm及更高工艺在内的先进技术节 ...
    发表时间:2020-01-19    作者:英尚微电子    查看:11551
  • Everspin Serial MRAM存储芯片MR20H40CDF
    Everspin在磁存储器设计,MRAM,STT-MRAM的制造和交付到相关应用中的知识和经验在半导体行业中是独一无二的。拥有超过600多项有效专利和申请的知识产权产品组合,在平面内和垂直磁隧道结(MTJ)STT-MRAM位单元的开发 ...
    发表时间:2020-04-09    作者:英尚微电子    查看:8159
  • 国内首个80纳米STT-MRAM制备成功
    来源:中科院之声 一、SRAM、DRAM,以及Flash 存储器是电子系统的重要组成部分。当前,绝大多数电子系统均采用寄存、主存加硬盘的存储体系结构(如图1(a)),与之相对应,静态随机存储器(SRAM)、动态随机 ...
    发表时间:2017-05-24    作者:eechina    查看:7034
  • everspin MRAM在汽车市场中的应用
    在整个地址空间范围内读写各种类型的数据。通常MRAM的操作和时序类似于32位微控制器的规范和时序。与DLFASH相比,当今的非易失性存储器可以接受MRAM设备的性能和吞吐量。 与当今的DFLASH相比,未来的汽车动力总 ...
    发表时间:2020-01-16    作者:英尚微电子    查看:6288
  • 如何解决MRAM寿命问题
    MRAM是一种非易失性磁性随机存储器。它拥有SRAM存储芯片的高速读取写入能力,以及动态DRAM的高集成度,并可以无限次地重复写入。MRAM工作的基本原理与硬盘驱动器类似,与在硬盘上存储数据一样,数据以磁性的方商为依 ...
    发表时间:2020-10-28    作者:宇芯电子    查看:5662
  • MRAM关键工艺步骤
    非易失性MRAM芯片组件通常在半导体晶圆厂的后端工艺生产,下面英尚微电子介绍关于MRAM关键工艺步骤包括哪几个方面. (1)底部电极的形成(参考图1):经由传统图案化与镶嵌工艺形成的底部电极层需要抛光至平坦,并为M ...
    发表时间:2020-03-31    作者:英尚微电子    查看:5598
  • 使嵌入式 STT MRAM 磁隧道结阵列的加工成为可能
    作者 Mahendra Pakala,应用材料公司 半导体产业正在迎来下一代存储器技术的新纪元,几大主要变化趋势正在成形。这其中包括磁性随机存储器 (MRAM) 的出现。我将在几篇相关文章中介绍推动MRAM 得以采用的背景,重 ...
    发表时间:2018-05-23    作者:eechina    查看:4843
  • 磁阻式随机存储器MRAM基本原理
    MRAM与传统的随机存储器的区别在于MRAM的信息携带者是磁性隧道结(MTJ ),而后者则是电荷。每一个磁性隧道结包含一个固定层和一个自由层。固定层的磁化方向被固定了,而自由层的磁化方向可以由旋转力矩改变。当两层的磁 ...
    发表时间:2020-11-09    作者:宇芯电子    查看:4743
  • everspin自旋转矩MRAM技术
    MRAM的主体结构由三层结构的MTJ构成:自由层(free layer),固定层和氧化层。自由层与固定层的材料分别是CoFeB和MgO。,MRAM 是一种非易失性的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力,以 ...
    发表时间:2020-01-16    作者:英尚微电子    查看:4583
  • 利用MRAM技术实现工作频率达400MHz的非易失性逻辑电路
    NEC开发出实现零待机功耗SoC所需的关键技术——“非易失性磁性触发器(MFF)”。该技术可以大幅降低数字消费类设备及便携设备的待机功耗,如可使普通的蓝光/DVD录像机的待机功耗降至原来的几十分之一。   MFF通过 ...
    发表时间:2009-08-25    作者:比尔盖    查看:3639
  • Everspin并行接口4Mb MRAM是汽车应用的理想选择
    MRAM速度快且非易失性。实时监控的传感器数据可以实时写入,无需负载均衡或ECC开销。AEC-Q1001级合格MRAM将在发动机罩下应用的扩展温度(-40℃至125℃)内保留数据20年。意外断电不会影响数据完整性。 Everspin ...
    发表时间:2021-12-09    作者:英尚微电子    查看:3632
  • STT-MRAM:系统架构全新的非易失性存储器
    STT-MRAM是指采用了自旋注入磁化反转(spin transfer torque:STT)数据擦写技术的磁存储器(MRAM)。这种存储器具有非易失性、运行速度快、擦写次数无限制等半导体存储器的理想性能。不过,目前还不具备可与现有存 ...
    发表时间:2014-06-17    作者:eechina    查看:3620
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