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Everspin AEC认证的汽车应用MRAM

发布时间:2020-7-17 15:57    发布者:英尚微电子
关键词: 汽车MRAM , Everspin MRAM
MRAM是一种使用电子自旋来存储信息的存储技术。MRAM具有成为通用存储器的潜力-能够将存储存储器的密度与SRAM的速度结合在一起,同时始终保持非易失性和高能效。Everspin MRAM可以抵抗高辐射,可以在极端温度条件下运行,并且可以防篡改。这使得MRAM适用于汽车,工业,军事和太空应用。Everspin总代理英尚微电子提供技术支持产品解决方案。

下面介绍Everspin AEC认证的汽车应用MRAM

MRAM非易失性存储器几乎可以在任何汽车系统中提高性能并降低成本



•以全总线速度保存数据
•意外断电后立即恢复状态
•提供AEC Q-100合格的1级(-40 / 125°C)和3级(-40 / 85°C)
保护有价值的数据并降低成本MRAM内存是保留宝贵的车辆数据,简化设计并降低BOM成本的最佳解决方案。



保护宝贵数据的最佳解决方案
•不需要额外的内存用于磨损均衡
•消除了昂贵的电容
•不再需要功率损耗检测电路
•简化系统固件,始终保持非易失性



简化并降低BOM成本
•无限的耐用性,可安全保存程序代码
•快速写入-以系统总线速度工作的内存
•非易失性,数据保持温度> 20年
•不需要电容器,电池或缓冲液

最大化控制系统的数据访问
MRAM在保持非易失性的同时最大化数据收集率



由于较长的读/写周期,耐用性限制而导致数据丢失



无遗漏数据,写入速度与SRAM一样快,非易失性,无磨损,电源故障期间无数据丢失

MRAM像SRAM一样是快速写入的,而像Flash一样也是非易失性的,但是不需要页面擦除或长写入周期。事件数据可以以总线速度保存到MRAM,并且即使意外断电或掉电也可以保持持久性。

Everspin AEC认证的汽车应用MRAM
MRAM4.jpg


MR0A16A.pdf (1.11 MB)

MR2A08A.pdf (949.71 KB)

MR25H10.pdf (2.02 MB)

MR25H40.pdf (1.67 MB)

MR25H128A.pdf (1.45 MB)

MR25H256-MR25H256A.pdf (1.64 MB)


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英尚微电子 发表于 2020-7-17 16:00:14
汽车应用Serial MRAM
Density
Org.
Part Number
Pkg.
Voltage
Temp
Order Multiple /Tray
MOQ / T&R
256Kb
32Kx8
MR25H256MDFR
8-DFN sf
3.3v
AEC-Q100 Grade 1
570
4000
256Kb
32Kx8
MR25H256MDCR
8-DFN
3.3v
AEC-Q100 Grade 1
570
4000
1Mb
128Kx8
MR25H10MDC
8-DFN
3.3V
AEC-Q100 Grade 1
570
4,000
256Kb
32Kx8
MR25H256MDC
8-DFN
3.3V
AEC-Q100 Grade 1
570
4,000
4Mb
512Kx8
MR25H40MDF
8-DFN sf
3.3V
AEC-Q100 Grade 1
570
4,000
1Mb
128Kx8
MR25H10MDF
8-DFN sf
3.3V
AEC-Q100 Grade 1
570
4,000
256Kb
32Kx8
MR25H256MDF
8-DFN sf
3.3V
AEC-Q100 Grade 1
570
4,000
256Kb
32Kx8
MR25H256AMDFR
8-DFN sf
3.3v
AEC-Q100 Grade 1
570
4000
256Kb
32Kx8
MR25H256AMDF
8-DFN sf
3.3v
AEC-Q100 Grade 1
570
4000
1Mb
128Kx8
MR25H10MDFR
8-DFN sf
3.3v
AEC-Q100 Grade 1
570
4000
1Mb
128Kx8
MR25H10MDCR
8-DFN
3.3v
AEC-Q100 Grade 1
570
4000
4Mb
512Kx8
MR25H40MDFR
8-DFN sf
3.3v
AEC-Q100 Grade 1
570
4000
128Kb
16Kx8
MR25H128AMDF
8-DFN sf
3.3v
AEC-Q100 Grade 1
570
4,000
128Kb
16Kx8
MR25H128AMDFR
8-DFN sf
3.3v
AEC-Q100 Grade 1
570
4,000

英尚微电子 发表于 2020-7-17 16:02:50
汽车应用Parellel MRAM
Density
Org.
Part Number
Pkg.
Voltage
Temp
MOQ(pcs) / Tray
MOQ(pcs)/ T&R
4Mb
256Kx16
MR2A16AMYS35
44-TSOP2
3.3V
AEC-Q100 Grade 1
270
1,500
1Mb
64Kx16
MR0A16AMYS35
44-TSOP
3.3V
AEC-Q100 Grade 1
270
1,500
4Mb
512Kx8
MR2A08AMYS35
44-TSOP
3.3V
AEC-Q100 Grade 1
1,500
270
4Mb
512Kx8
MR2A08AMYS35R
44-TSOP2
3.3v
AEC-Q100 Grade 1
1500
270
1Mb
64Kx16
MR0A16AMYS35R
44-TSOP2
3.3v
AEC-Q100 Grade 1
270
1500
4Mb
256Kx16
MR2A16AMYS35R
44-TSOP2
3.3v
AEC-Q100 Grade 1
270
1500
2Mb
128Kx16
MR1A16AMYS35
44-TSOP2
3.3v
AEC-Q100 Grade 1
270
1500
2Mb
128Kx16
MR1A16AMYS35R
44-TSOP2
3.3v
AEC-Q100 Grade 1
270
1500

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