AET3156AP增强型p沟道MOSFET芯片，替代AO4805方案
发布时间：2025-7-28 10:14
发布者：TEL13699759787
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禾纳推出的AET3156AP是一款增强型p沟道MOSFET，具有VDS=-30V和ID=-10A的特性，典型导通电阻为15mΩ（VGS=-10V，ID=-10A）和19mΩ（VGS=-4.5V，ID=-5A）。该器件支持快速切换，具备低电阻特性，且不含卤素和锑，符合Rohs标准 ATE3156AP特性 VDS=-30V,ID=-10A RDS (ON)=15mΩ (TYP.)VGS=-10V, ID=-5A RDS (ON)=19mΩ (TYP.)VGS=-4.5V, ID=-5A 可靠且坚固耐用 雪崩额定 低电阻 工作温度范围为-55℃至125℃ 采用PDFN3030和SOP8封装 
ATE3156AP应用 电源管理：便携设备、台式机电源系统 开关电路：高频率开关电源、DC-DC转换器 电机驱动：低压大电流负载控制 |
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