东芝推出采用DFN8×8封装的新型650V第3代SiC MOSFET
发布时间：2025-5-26 11:03
发布者：IC电子圈
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四款新器件助力提升工业设备的效率和功率密度 东芝电子元件及存储装置株式会社今日宣布，推出四款最新650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V65C”。这些器件配备其最新的[1]第3代SiC MOSFET技术，并采用紧凑型DFN8×8封装，适用于开关电源、光伏发电机功率调节器等工业设备。四款器件于今日开始支持批量出货。 
四款新器件是首批采用小型表贴DFN8×8封装的第3代SiC MOSFET的器件，与TO-247和TO-247-4L(X)等通孔型封装相比，其体积减小90%以上，并提高了设备的功率密度。表贴封装还允许使用比通孔型封装更小的寄生阻抗[2]元件，从而降低开关损耗。DFN8×8是一种4引脚[3]封装，支持对其栅极驱动的信号源端子进行开尔文连接。这减少了封装内部源极线电感的影响，实现高速开关性能；以TW054V65C为例，与东芝现有产品相比[5]，其开通损耗降低了约55%，关断损耗降低约25%[4]，有助于降低设备中的功率损耗。 未来东芝将继续扩大其SiC功率器件产品线，为提高设备效率和增加功率容量做出贡献。 
测量条件：VDD＝400V、VGS＝18V/0V、ID＝20A、Ta＝25°C、L＝100μH，Rg（外部栅极电阻）＝4.7Ω 续流二极管采用各产品源极和漏极之间的二极管。（截至2025年5月，东芝对比结果） 图1 TO-247与DFN8×8封装的导通损耗（Eon）和关断损耗（Eoff）比较
（除非另有说明，Ta＝25°C） 
第3代SiC MOSFET特性 SiC MOSFET常见问题解答 SiC MOSFET与Si IGBT的比较 SiC MOSFET绝对最大额定值和电气特性 注： [1] 截至2025年5月。 [2] 电阻、电感等。 [3] 一种信号源引脚靠近FET芯片连接的产品。 [4] 截至2025年5月，东芝测量值。请参考图1。 [5] 采用TO-247封装且无开尔文连接的、具有同等电压和导通电阻的650V东芝第3代SiC MOSFET。 如需了解有关新产品的更多信息，请访问以下网址： TW031V65C https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/mosfets/detail.TW031V65C.html TW054V65C https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/mosfets/detail.TW054V65C.html TW092V65C https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/mosfets/detail.TW092V65C.html TW123V65C https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/mosfets/detail.TW123V65C.html 如需了解东芝SiC功率器件的更多信息，请访问以下网址： SiC功率器件 https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/power-semiconductors.html 如需了解相关新产品在线分销商网站的供货情况，请访问以下网址： TW031V65C https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/where-to-buy/stockcheck.TW031V65C.html TW054V65C https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/where-to-buy/stockcheck.TW054V65C.html TW092V65C https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/where-to-buy/stockcheck.TW092V65C.html TW123V65C https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/where-to-buy/stockcheck.TW123V65C.html *本文提及的公司名称、产品名称和服务名称可能是其各自公司的商标。 *本文档中的产品价格和规格、服务内容和联系方式等信息，在公告之日仍为最新信息，但如有变更，恕不另行通知。 |
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