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[供应] 存储器:S80KS5122GABHV020,S70KS1283GABHV020,S26HS512TGABHM000

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发表于 2024-12-3 10:32:45 | 显示全部楼层 |阅读模式
关键词: S80KS5122GABHV020 , S70KS1283GABHV020 , S26HS512TGABHM000
明佳达,星际金华供求 存储器:S80KS5122GABHV020,S70KS1283GABHV020,S26HS512TGABHM000



S80KS5122GABHV020 200 MHz 35NS 24-FBG 内存

产品描述
S80KS5122GABHV020 在 HYPERBUS™ 上的读取或写入事务由内部 HYPERRAM 阵列上一系列 16 位宽、一个时钟周期的数据传输和 DQ 信号上两个相应的 8 位宽、一个半时钟周期的数据传输组成。

特点
缠绕突发长度
16 字节(8 个时钟)
32 字节(16 个时钟)
64 字节(32 个时钟)
128 字节(64 个时钟)

128Mbit SPI - 八进制 I/O 存储器 IC S70KS1283GABHV020 集成电路芯片

产品描述
S70KS1283GABHV020 数据字节内的单个数据位也会首先移入和移出器件 MSb。所有数据字节的传输都是先发送最低地址字节。

功能
混合选项 - 64 Mb 上的一个封装突发和一个线性突发。不支持跨芯片边界的线性突发。
可配置的输出驱动强度

200MHz 5.45NS 表面贴装 S26HS512TGABHM000 FLASH NOR 存储器 IC 24-VBGA

产品描述
S26HS512TGABHM000 的读 DS 是 SEMPER™ 闪存的输出,用于指示何时从存储器传输数据。

特性
256 或 512 字节的页面编程缓冲区
1024 字节(32×32 字节)的 OTP 安全硅区 (SSR)

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