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明佳达,星际金华供求 碳化硅MOSFET晶体管:MSC080SMA120B,MSC080SMA120S,MSC080SMA120J
MSC080SMA120B 晶体管 TO-247-3 通孔
产品描述
MSC080SMA120B SiC MOSFET 具有很高的效率,可实现更轻、更紧凑的系统,并具有更好的散热能力和更低的开关损耗。
特点
低电容和低栅极电荷
符合 RoHS 规范
降低系统拥有成本
MSC080SMA120S N 沟道 1200 V 35A 182W 表面贴装晶体管
产品描述
MSC080SMA120S 器件是一款采用 TO-268 (D3PAK) 封装的 1200 V、80 mΩ SiC MOSFET。
特性
可在 175°C 结温下稳定工作
快速可靠的体二极管
良好的雪崩坚固性
1200V MSC080SMA120J 碳化硅 N 沟道功率 MOSFET 底座安装 SOT-227
MSC080SMA120J 的产品说明
MSC080SMA120J 器件是一款采用 SOT-227 封装的 1200 V、80 mΩ SiC MOSFET。
特点
低电容和低栅极电荷
低内部栅极电阻 (ESR) 带来快速开关速度
在高结温(TJ(最大值)= 175 °C )条件下稳定工作
快速可靠的体二极管
卓越的雪崩坚固性
符合 RoHS 规范
隔离电压高达 2500 V
应用
光伏逆变器、变流器和工业电机驱动器
智能电网输配电
感应加热和焊接
H/EV 动力总成和 EV 充电器
供电和配电
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