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明佳达，星际金华供求 S70KS1283GABHB020，S70KS1283GABHI020，S27KS0642GABHV020存储器
S70KS1283GABHB020 200MHz 35ns PSRAM 存储器 IC
产品描述
S70KS1283GABHB020 是高性能嵌入式系统的理想之选，该系统需要扩展内存，用于刮板或缓冲。
功能特点
相移时钟用于在读取数据眼内移动 RWDS 转换边沿
200 MHz 最大时钟速率
集成电路芯片 35ns S70KS1283GABHI020 128Mbit SPI - 八进制 I/O 存储器 IC
产品说明
S70KS1283GABHI020 是一款高速、低引脚数、低功耗的自刷新动态 RAM (DRAM)，适用于需要扩展存储器用于刮板或缓冲的高性能嵌入式系统。
特性
DDR - 在时钟的两个边沿上传输数据
数据吞吐量高达 400 MBps（3,200 Mbps）
可配置的突发特性
S27KS0642GABHV020 DRAM HyperRAM 存储器 IC 64Mbit 24-VBGA 表面贴装
产品描述
S27KS0642GABHV020 的 DRAM 单元不能在读取或写入事务期间刷新，这就要求主机限制读取或写入突发传输的长度，以便在需要时进行内部逻辑刷新操作。
特性
线性突发
封装突发长度
混合选项 - 一个封装突发后是线性突发
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发表于 2024-8-23 11:03:24