碳化硅MOS晶圆6寸主流，多家厂商在进击8英寸工艺
发布时间：2024-1-3 14:32
发布者：Eways-SiC
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6 寸碳化硅 mosfet 晶圆，是一种以碳化硅为材料制成的场效应晶体管。
碳化硅MOS特性-SiC MOS晶圆裸die规格简介.pdf
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碳化硅MOS晶圆 
6 寸碳化硅 mosfet 晶圆的主要特点如下： 1.高耐压：碳化硅具有较高的击穿电场，因此 6 寸碳化硅 mosfet 晶圆具有较高的耐压能力，适用于高电压应用场景。 2.大电流密度：碳化硅具有较大的电子迁移率，使得 6 寸碳化硅 mosfet 晶圆具有较大的电流密度，能够承受更大的电流。 3. 高工作频率：碳化硅具有较低的载流子迁移率，使得 6 寸碳化硅 mosfet 晶圆具有较高的工作频率，适用于高频率应用场景。 4.良好的热稳定性：碳化硅具有较高的热导率，使得 6 寸碳化硅 mosfet 晶圆在高温环境下仍具有较好的性能表现。 
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