x
x
返回列表 发新帖
查看: 994|回复: 0

DTU40P06-VB_MOSFET产品应用与参数解析

[复制链接]
VBsemi
发表于 2023-11-10 15:39:54 | 显示全部楼层 |阅读模式
贸泽电子有奖问答视频，回答正确发放10元微信红包
关键词： DTU40P06 , MOS管 , MOS , vbsemi , mosfet
DTU40P06 (VBE2658)参数说明：P沟道，-60V，-22A，导通电阻48mΩ@10V，57mΩ@4.5V，20Vgs(±V)，阈值电压-1.5V，封装：TO252。应用简介：DTU40P06适用于功率开关和逆变器等应用的P沟道MOSFET。其高电流承载能力和低导通电阻有助于提高效率和降低功率损耗。适用领域与模块：适用于电源开关、逆变器和功率放大器等领域模块，特别适合高功率要求的场景。
VBE2658.png

DTU40P06.pdf

279.8 KB, 下载积分: 积分 -1

相关文章
回复

举报

返回列表 发新帖
高级模式
B Color Image Link Quote Code Smilies
您需要登录后才可以回帖 登录 | 立即注册

本版积分规则

关于我们  -  服务条款  -  使用指南  -  站点地图  -  友情链接  -  联系我们
电子工程网 © 版权所有   京ICP备16069177号 | 京公网安备11010502021702
快速回复 返回顶部 返回列表