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DMG1012T-VB_SC75-3封装MOSFET产品应用与参数解析

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发表于 2023-11-10 15:29:32 | 显示全部楼层 |阅读模式
关键词: MOS管 , MOS , mosfet , vbsemi , DMG1012T
DMG1012T( VBTA1220N)
参数描述:
N沟道,20V,1A,RDS(ON),200mΩ@4.5V,230mΩ@2.5V,12Vgs(±V);0.6Vth(V);SC75-3
型号参数介绍:
DMG1012T (VBTA1220N)参数说明:N沟道,20V,1A,导通电阻200mΩ@4.5V,230mΩ@2.5V,12Vgs(±V),阈值电压0.6V,封装:SC75-3。
应用简介:DMG1012T适用于低功率应用,如信号开关和电流控制。
其低导通电阻和小封装有助于降低功率损耗和节省空间。
适用领域与模块:适用于低功率信号开关、电流控制和模拟开关等领域模块,特别适合要求节省空间的场景。


VBTA1220N.png

DMG1012T.pdf

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