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深圳市明佳达电子，星际金华（供应及回收）原装库存器件！
N通道晶体管：IRFP4668PBF，IRFS3006TRL7PP，BSC027N06LS5，BSZ146N10LS5（供应，求购）
【供应】只做原装，库存器件，价格方面由于浮动不一，请以当天询问为准！
【回收】只需原装器件，须有原厂外包装标签，有库存的朋友，欢迎随时联络我们！
IRFP4668PBF：通孔 N通道晶体管 200V TO-247AC
FET 类型：N通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：130A（Tc）
功率耗散（最大值）：520W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
供应商器件封装：TO-247AC
封装/外壳：TO-247-3
IRFS3006TRL7PP：表面贴装型 N通道晶体管 60V 240A（Tc） 375W（Tc）
FET 类型 N通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 60 V
功率耗散 375W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 D2PAK（7-Lead）
封装/外壳 TO-263-7，D2Pak（6 引线 + 接片），TO-263CB
BSC027N06LS5：表面贴装型 N通道晶体管 60V PG-TDSON-8-7
FET 类型 N通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 60 V
功率耗散（最大值） 83W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 PG-TDSON-8-7
封装/外壳 8-PowerTDFN
BSZ146N10LS5：N通道晶体管 表面贴装型 100V 40A
FET 类型 N通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 100 V
功率耗散（最大值） 52W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 PG-TSDSON-8-FL
封装/外壳 8-PowerTDFN
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发表于 2023-9-21 10:34:39