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一、NTMFS5C645NLT1G：表面贴装型 N通道 晶体管 60V 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：22A（Ta），100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：4 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：34 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：2200 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）：3.7W（Ta），79W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：5-DFN（5x6）（8-SOFL）
封装/外壳：8-PowerTDFN，5 引线
二、NTMFS5C604NLT1G：表面贴装型 N通道 晶体管 60V 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：38A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：1.2 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：120 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：8900 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）：3.9W（Ta），200W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：5-DFN（5x6）（8-SOFL）
封装/外壳：8-PowerTDFN，5 引线
三、NTMFS0D55N03CGT1G：30V、462A、单N通道功率MOSFET晶体管，SO8-FL
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：35A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
功率耗散（最大值）：1.1W（Ta）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：5-DFN（5x6）（8-SOFL）
宽 SOA 以改善浪涌电流管理
先进封装（5x6 毫米），具有出色的热传导性能
超低 RDS(on)，可提高系统效率
四、NVMFS5C430NLWFAFT1G：表面贴装，可润湿侧翼 N通道 晶体管 40V 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：40V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：38A（Ta），200A（Tc）
功率耗散（最大值）：3.8W（Ta），110W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装，可润湿侧翼
供应商器件封装：5-DFN（5x6）（8-SOFL）
封装/外壳：8-PowerTDFN，5 引线
深圳市明佳达电子，星际金华（供应及回收）原装库存器件！
元器件：NTMFS5C645NLT1G，NTMFS5C604NLT1G，NTMFS0D55N03CGT1G，NVMFS5C430NLWFAFT1G（供求）
【供应】只做原装，库存器件，价格方面由于浮动不一，请以当天询问为准！
【回收】只需原装器件，须有原厂外包装标签，有库存的朋友，欢迎随时联络我们！
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发表于 2023-9-12 10:25:29