ST 650V碳化硅二极管具有独一无二的双管配置，可提高安全性、能效并节省空间
发布时间：2014-1-17 11:22
发布者：eechina
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意法半导体（ST）的新双管配置碳化硅(SiC)肖特基二极管是市场上同类产品中首款每只管子额定电压650V且共阴极或串联配置的整流二极管，可用于交错式或无桥型功率因数校正(PFC)电路。 磁化硅产品的能效和耐用性高于传统的二极管，意法半导体在碳化硅功率半导体技术创新方面居世界领先水平，STPSC6/8/10TH13TI和 STPSC8/12/16/20H065C器件 兼备碳化硅的高性能与双二极管的节省空间和降低EMI干扰的双重优点。交错式或无桥型PFC拓扑可提高服务器电源、电信设备电源、太阳能逆变器、电动汽车充电站等设备的能效，而这两个系列产品是交错式或无桥型PFC的理想选择。 ST 650V碳化硅二极管具有独一无二的双管配置，可提高安全性、能效并节省空间 
这些业内独一无二的二极管在关断状态下反向恢复时间很短，解决了电能损耗问题，从而能够优化开关能效。而且650V额定电压提高了安全系数，对具有危害性的反向峰值电压具有防护作用。此外，STPSCxxTH13TI产品内置的陶瓷隔离层，有助于简化管子与外部散热器的连接，也可以不用外部隔离层。 STPSC6TH13TI至STPSC10TH13TI(串联配置隔离型TO-220AB封装)和STPSC8H065C至STPSC20H065C (共阴极标准TO-220AB封装)已经上市。STPSC20H065C还提供TO-247封装。 详情请访问www.st.com/sicdiodes。 |
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