搜索
热门关键词:
51单片机
555
EDA
S3C2410
加速度计
手机版
官方微博
微信公众号
登录
|
免费注册
首页
新闻
新品
文章
下载
电路
问答
视频
职场
杂谈
会展
工具
博客
论坛
在线研讨会
技术频道:
单片机/处理器
FPGA
软件/编程
电源技术
模拟电子
PCB设计
测试测量
MEMS
系统设计
无源/分立器件
音频/视频/显示
应用频道:
消费电子
工业/测控
汽车电子
通信/网络
医疗电子
机器人
x
x
当前位置:
EEChina首页
›
电源技术
›
新闻
飞兆英飞凌达成功率MOSFET兼容协议
发布时间:2010-4-23 10:56 发布者:
嵌入式公社
关键词:
MOSFET
,
功率
,
协议
,
英飞凌
飞兆
(
Fairchild
)
半导体
公司和英飞凌(Infineon)科技宣布,两家公司就采用MLP 3x3 (Power33)和Power Stage 3x3封装的功率
MOSFET
达成封装合作伙伴协议。
兼容协议旨在保证供货稳定性,同时满足对同级最佳的DC-DC转换效率和热性能的需求。这项协议利用了两家企业的专业技术,为3A至20A的DC-DC应用提供非对称、单一n沟道MOSFET。
本文地址:
https://www.eechina.com/thread-10752-1-1.html
【打印本页】
本站部分文章为转载或网友发布,目的在于传递和分享信息,并不代表本网赞同其观点和对其真实性负责;文章版权归原作者及原出处所有,如涉及作品内容、版权和其它问题,我们将根据著作权人的要求,第一时间更正或删除。
相关文章
英飞凌 | CoolSiC™ MOSFET G2如何正确选型
英飞凌豪掷508亿在马来西亚打造全球最大碳化硅半导体工厂
英飞凌分拨中心(中国)在沪升级
英飞凌 | CoolSiC™ MOSFET G2导通特性解析
吉时利数字源表2450如何实现MOSFET栅极漏电流的超低噪声测量
英飞凌 | CoolSiC™ MOSFET Gen2性能综述
英飞凌 | 新兴无线BMS系统解决方案深度分析
网友评论
高级模式
B
Color
Image
Link
Quote
Code
Smilies
您需要登录后才可以发表评论
登录
|
立即注册
发表评论
贸泽电子有奖问答视频,答对领10元微信红包
厂商推荐
Microchip视频专区
AOE | 时钟与时序(5/7):什么是稳定性?
初学者在电源电路设计中常犯的错误(以及如何避免)
AOE | 时钟与时序(2/7):什么是理想时钟?
AOE | 时钟与时序(7/7):还有哪些重要计时参数?
贸泽电子(Mouser)专区
相关在线工具
电功率计算器
电机电流/电机功率计算器
相关视频
常用功率级拓扑数字化实现方法与控制策略培训教程
46078
CAN与CAN FD协议阐述及最新发展培训教程
22695
宽带放大器R&S®BBA,卓越的紧凑型高功率放大器
21130
用带TSP Express软件的2600A系列系统源表特性化MOSFET
19104
智能功率模块(IPM)简介及变频器IPM技术
16030
关于我们
-
服务条款
-
使用指南
-
站点地图
-
友情链接
-
联系我们
电子工程网
© 版权所有
京ICP备16069177号
| 京公网安备11010502021702
快速回复
返回顶部
返回列表
网友评论