国家发改委将推动新型电子器件产业化
发布时间：2010-4-1 10:46
发布者：诸葛孔明
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随着我国智能电网、高铁建设、新能源汽车以及节能家电等市场的发展，对5英寸及6英寸晶闸管、IGCT(集成门极换流晶闸管)、IGBT(绝缘栅双极晶体管)的需求量巨大。 记者30日从国家发改委了解到，为推动节能降耗，促进电力电子技术和产业的发展，国家发改委等有关部门将对安排补贴资金支持新型电力电子器件产业化。 记者了解到，2009年我国IGBT市场为53亿元左右，而未来几年随着节能减排的推进，IGBT市场规模将年增20%-30%。 但是，由于我国只有少数小功率IGBT的封装线，还不具备研发、制造管芯的能力和大功率IGBT的封装能力。因此目前国内市场所需的高端电力电子器件主要依赖进口，IGBT供应主要控制在英飞凌、三菱、ABB、富士等外资巨头手中，技术上长期受制于人。对此，国家发改委明确表示，2010年将支持金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)、IGCT、IGBT、超快恢复二极管(FRD)等量大面广的新型电力电子芯片和器件的产业化。 据悉，国家发改委将组织实施新型电力电子器件产业化专项，鼓励符合条件的企业申请国家补贴资金支持。 国家补贴资金主要用于项目的研究开发、购置研究开发及工程化所需的仪器设备、改善工艺设备和测试条件、建设产业化或工程化验证成套装置和试验装置、建设必要的配套基础设施、购置必要的技术、软件等。 来源：上海证券报 |
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