无源器件/分立半导体资料下载列表
STS4DNF60L (VBA3638)参数说明:2个N沟道,60V,6A,导通电阻27mΩ@10V,32mΩ@4.5V,20Vgs(±V),阈值电压1.5V,封装:SOP8。
应用简介 ...
STP30NF20 (VBM1208N)参数说明:N沟道,200V,35A,导通电阻58mΩ@10V,20Vgs(±V),阈值电压3V,封装:TO220。
应用简介:STP30NF20适 ...
ST2341S23RG (VB2355)参数说明:P沟道,-30V,-5.6A,导通电阻47mΩ@10V,56mΩ@4.5V,门源电压范围20V(±V),阈值电压-1V,封装:SOT23。
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SPD30P06PG (VBE2658)参数说明:P沟道,-60V,-22A,导通电阻48mΩ@10V,57mΩ@4.5V,门源电压范围20V(±V),阈值电压-1.5V,封装:TO252。 ...
SI9945AEY-T1-E3 (VBA3638)参数说明:极性:2个N沟道;额定电压:60V;最大电流:6A;导通电阻:27mΩ @ 10V, 32mΩ @ 4.5V;门源电压范围: ...
SI4559EY-T1-E3 (VBA5638)参数说明:N+P沟道,±60V,正向电流6.5A,反向电流5A,导通电阻28mΩ@10V,34mΩ@4.5V,门源电压范围20V(±V), ...
SI4435DY-T1-E3 (VBA2317)参数说明:极性:P沟道;额定电压:-30V;最大电流:-7A;导通电阻:23mΩ @ 10V, 29mΩ @ 4.5V, 66mΩ @ 2.5V;门 ...
SI3442CDV (VB7322)参数说明:N沟道,30V,6A,导通电阻30mΩ@10V,40mΩ@4.5V,门源电压范围20V(±V),阈值电压1.2V,封装:SOT23-6。
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Si2399DS-T1-GE3 参数: P沟道, -20V, -4A, RDS(ON), 57mΩ@4.5V, 83mΩ@2.5V, 12Vgs(±V); -0.81Vth(V); SOT23
应用简介: Si2399DS-T1 ...
Si2342DS-T1-GE3 (VB1240)参数说明:N沟道,20V,6A,导通电阻24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V,门源电压范围8V(±V),可调阈值电压范围0.45~1V,封 ...
锂电池充放电技术资料。
2020年07月04日 19:40
Vishay发表一篇新的应用笔记---“智能锂离子充电电池和Power Metal Strip 电阻”。这篇文章总结了在保持锂离子充电电池的高性能过程中所遇 ...
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Epson Crystal Devices Catalogue 2014
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