提高功率密度与开关电源设计效率的中等电压PowerTrench MOSFET（飞兆）
发布时间：2012-8-16 18:29
发布者：eechina
关键词：
PowerTrench , MOSFET
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中等电压MOSFET器件采用高性能硅片减低品质因数，提高同步整流应用的可靠性 提升功率密度和轻载效率是服务器、电信和AC-DC电源设计人员的主要考虑问题。此外，这些开关电源(SMPS)设计中的同步整流需要具有高性价比的电源解决方案，以便最大限度地减小线路板空间，同时提高效率和降低功耗。有鉴于此，飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)扩展PowerTrench MOSFET系列来帮助设计人员应对电源设计挑战。 这些产品属于中等电压MOSFET产品系列成员，是结合低栅极电荷(QG)、低反向恢复电荷(Qrr)和软反向恢复体二极管的优化功率开关产品，可以实现快速开关。这些器件备有40V、60V和80V额定电压型款，由于采用优化的软反向恢复体二极管，减少了缓冲器电路的功耗，与竞争解决方案相比，可将电压尖刺减少多达15%。 这些器件采用具有电荷平衡功能的屏蔽栅极结构，从而达到较高的功率密度、较低的振铃和更好的轻载效率。通过使用这项技术，新器件获得了较低的品质因数(QG × RDS(ON))，同时降低驱动损耗来提高功率效率。 这一系列的首批器件包括采用Power56封装的40V FDMS015N04B和80V FDMS039N08B器件，以及采用TO-220 3引脚封装的60V FDP020N06B和80V FDP027N08B器件。 中等电压MOSFET器件采用高性能硅片减低品质因数，提高同步整流应用的可靠性 
特性和优势 • 较小的封装尺寸(Power56和TO-220 3引脚封装)，具有最大的热性能/系统尺寸比 • 较低的QG以降低栅极驱动损耗 • 低QGD/QGS比，防止不必要的误导通，提高系统可靠性 • 低动态寄生电容，减少高频应用的栅极驱动损耗 • 100% UIL测试 • 满足RoHS要求 新增的PowerTrench MOSFET器件丰富了飞兆半导体中等电压范围MOSFET产品阵容，作为齐全的PowerTrench技术产品系列的一部分，它能够满足现今电子产品的电气和散热性能要求，在实现更高能效水平方面发挥重要的作用。 价格：订购1,000个 FDMS015N04B: 每个1.78美元 FDMS039N08B: 每个1.60美元 FDP020N06B: 每个4.50美元 FDP027N08B: 每个3.30美元 供货: 按请求提供样品。交货期: 收到订单后8至12周内 产品的 PDF 格式数据表可从此网址获取： http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDMS015N04B.pdf http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDMS039N08B.pdf http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDP020N06B.pdf http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDP027N08B.pdf 飞兆半导体香港办事处电话：852-2722-8338；深圳办事处，电话：0755-8246-3088；上海办事处，电话：021-6263-7500；北京办事处，电话：010-6408-8088 |
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