NXP推新型汽车级TrenchMOS器件 具有极低导通电阻
发布时间：2012-6-5 14:23
发布者：eechina
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恩智浦半导体（NXP）推出全新汽车级功率MOSFET器件系列，该系列采用恩智浦的Trench 6技术，具有极低导通电阻（RDSon）、极高的开关性能以及出色的品质和可靠性。恩智浦新型汽车级MOSFET已取得AEC-Q101认证，成功通过了175˚C高温下超过1,600小时的延长寿命测试（性能远超Q101标准要求），同时具有极低PPM 水平。 恩智浦这一全新车用 MOSFET系列中的首批产品将采用D2PAK封装，电压级分别为30V、40V、60V、80V和100V，全部具有出色的导通电阻（RDSon）性能。未来的Trench 6器件将会采用其他类型车用封装形式，包括恩智浦高可靠性、高性能的Power-SO8 LFPAK56封装，以此作为产品组合的重要扩展形式，为用户提供全面的应用灵活性。该系列几乎覆盖所有汽车应用领域，从简单的车灯照明到精密复杂的传动、车身及底盘等各系统的功率控制。 Trench 6将在前代TrenchMOS器件的基础上进一步提升开关性能，可在给定导通电阻（RDSon）条件下实现超低QGD，因此是汽车DC-DC开关应用的理想选择。恩智浦的汽车级功率MOSFET器件还为各类产品带来真正的逻辑电平变体，这是一项将基准导通电阻性能与阈值电压容限相结合的重要功能，可确保MOSFET器件在高温下的正常控制。 恩智浦半导体产品市场经理Ian Kennedy表示，“我们的Trench 6汽车级功率MOSFET器件可以为车内几乎每个MOSFET插口提供经过优化的、可靠性能极高的解决方案。广泛严格的测试表明，Trench 6的构架极其简单，且在近两年的标准MOSFET市场业绩骄人，一定可以满足延长汽车寿命所需的品质和可靠性要求。” |
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