ZT: 南亚科大扩产 12寸厂拉升至5万片
发布时间：2010-3-11 18:02
发布者：步从容
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台塑集团旗下DRAM大厂南亚科日前决定进行大扩产，原本规划将12寸晶圆厂产能从现有3万片提升至3.6万片，现在计划一举提升产能至5万片水平，因此将再增加250名员工，整体员工人数将达4,250人；总经理连日昌表示，目前12寸晶圆厂已回复至3万片的投片量，以68奈米制程为主，预计第2季68奈米和50奈米比重可各占一半。再者，预计南亚科2010年资本支出将扩大至新台币200亿~250亿元水平。 南亚科是这一波DRAM景气复苏之后，唯一宣布扩产的业者，且扩产幅度不断加码，显示公司对于DRAM产业后市看好，同时对于集团扩大市占率的决心也是势在必行。 南亚科目前12寸晶圆厂满载产能为3万片，主要产能仍是依赖旗下与美光合资成立的华亚科为主。2009年底以来，由于正在经历沟槽式转堆叠式技术，以及70 奈米转换至68和50奈米的考验，因此产出大幅减少，产能最低时，投片量仅1万片，日前投片量已回复至接近3万片水平。 连日昌指出，南亚科日前决定将12寸晶圆厂产能从现有的3万片扩大至5万片水平，目标是在年底前完成，因此也将持续再增加250名员工，目前现有员工数为4,000人，未来将扩大至4,250人。 南亚科2009年资本支出为146亿元，原本预计2010年资本支出为190亿元，随著12寸晶圆厂产能要大扩产，预计2010年资本支出会增加至200亿~250亿元之谱。 在目前投片量3万片水平中，连日昌表示，目前暂时以68奈米制程为主，主要是因为68奈米技术不需要浸润式机器设备(Immersion Scanner)，随著50奈米制程投片量逐渐增加，预计第2季底前，68奈米和50奈米比重将各占50%，上月50奈米制程的1Gb容量DDR2产品已完成认证程序，2Gb容量DDR3产品则正在进行认证动作。 连日昌表示，南亚科2010年产能主要贡献，会从下半年开始大量增加，预计年底产出会较年初多200%，主要是制程微缩的贡献，真正新产能贡献不多。连日昌进一步表示，南亚科2009年完成沟槽式转堆叠式技术转换，2010年最大目标是完成50奈米制程转换。 针对旗下8寸晶圆厂是否要申请登陆，连日昌则表示，目前没有申请也没有规画，要登陆也要先找到目标。 再者，由于合作伙伴美光(Micron)日前购并NOR Flash恒忆(Numonyx)，加上美光有NAND Flash技术，外界一直揣测南亚科是否有机会将产品线扩充至快闪存储器领域，连日昌则表示，目前没讨论此问题，要等时机到了再观察，况且美光也要尊重合作伙伴的意愿。 |
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