针对光伏逆变器应用的650V IGBT（飞兆）
发布时间：2012-3-27 13:59
发布者：eechina
|
飞兆半导体650V场截止IGBT 提高功率转换应用的效率和系统可靠性 新产品能够应对设计人员的高效、有效功率转换挑战 太阳能功率逆变器、不间断电源(UPS)以及焊接应用的设计人员面临提高能效，满足散热法规，同时减少元件数目的挑战。有鉴于此，飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)开发了一系列针对光伏逆变器应用的650V IGBT产品，帮助设计人员应对这一行业挑战。要了解更多的信息及索取样品，请访问公司网页： http://www.fairchildsemi.com/pf/FG/FGA40N65SMD.html http://www.fairchildsemi.com/pf/FG/FGA60N65SMD.html 飞兆半导体公司的场截止IGBT技术能够让设计人员开发出具有更高输入电压的高可靠系统设计，同时提供具有低导通损耗和开关损耗的最佳性能。另外，650V IGBT具有大电流处理能力、正温度系数、严格的参数分布，以及较宽的安全工作区等特点。 更高的击穿电压改善了寒冷环境温度下的可靠性，随着温度的降低，IGBT和FRD阻断电压亦会下降，因而650V IGBT特别适合较冷气候之下工作的太阳能光伏逆变器。仔细选择IGBT和续流二极管是获得最高效率的必要条件，650V IGBT提供了快速和软恢复特性，能够降低功率耗散，并减小开启和关断损耗。 特性和优势 • 具有更高的阻断电压能力，无需牺牲性能 • 具有正温度系数，易于并联工作，可实现不发热的嵌板应用，防止系统过载 • 大电流容量，实现大功率DC/AC转换 • 最高结温：TJ=175oC • 低饱和压降：Ic=40A / 60A额定电流下，VCE(sat)= 1.9V(典型值) • 高开关速度，可让系统保持高效率 • 低导通损耗和开关损耗 • 宽安全工作区 – 允许更高的功率耗散 • 严格的参数分布 • 满足RoHS要求 
价格：订购1,000个 FGA40N65SMD 每个2.98美元 FGA60N65SMD 每个4.03美元 供货: 按请求提供样品 交货期: 收到订单后8至12周内 产品的 PDF 格式数据表可从此网址获取： http://www.fairchildsemi.com/ds/FG/FGA40N65SMD.pdf http://www.fairchildsemi.com/ds/FG/FGA60N65SMD.pdf 查询更多信息，请联络飞兆半导体香港办事处，电话：852-2722-8338；深圳办事处，电话：0755-8246-3088；上海办事处，电话：021-3250-7688；北京办事处，电话：010-6408-8088 或访问公司网站：http://www.fairchildsemi.com/cn/。 |
网友评论