具有小体积和低导通阻抗的单一P沟道PowerTrench MOSFET(飞兆)

发布时间:2012-2-23 11:16    发布者:eechina
关键词: MOSFET , PowerTrench , P沟道
飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor) 现为手机和其它超便携应用的设计人员提供一款P沟道PowerTrench MOSFET器件,满足其对具有出色散热性能的小尺寸电池或负载开关解决方案的需求。

FDMA905P和FDME905PT是具有低导通阻抗的MOSFET,这些器件具有出色的散热性能和小占位尺寸,也非常适合线性模式应用。要了解更多的信息或订购样品,请访问公司网页:http://www.fairchildsemi.com/pf/FD/FDMA905P.html, http://www.fairchildsemi.com/pf/FD/FDME905PT.html

592.-FDMA905P_FDME905PT_3x3.jpg

特性和优势

FDMA905P:

•    采用2mm x 2mm MicroFET™ 封装,器件高度 – 最大0.8mm
•    确保低RDS(ON) (MAX RDS(ON) = 16mΩ at VGS = -4.5V, ID = -10A)
•    具有出色的散热性能(RΘJA = 52 ℃/W)

FDME905PT:

•    采用1.6mm x 1.6mm 薄型MicroFET封装,器件高度 – 最大0.55mm
•    确保低 RDS(ON) (MAX RDS(ON) = 22mΩ at VGS = -4.5V, ID = -8A)
•    具有出色的散热性能(RΘJA = 60 ℃/W)

FDMA905P和FDME905PT不含卤化物和氧化锑,满足RoHS标准的要求。两款器件均可在低电压下安全运作,适用于手机和超便携设备。

价格:订购1,000个
FDMA905P    每个0.29美元
FDME905PT    每个0.26美元

供货: 按请求提供样品

交货期: 收到订单后8至12周内

产品的 PDF 格式数据表可从此网址获取:
http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDMA905P.pdf  
http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDME905PT.pdf
本文地址:https://www.eechina.com/thread-86355-1-1.html     【打印本页】

本站部分文章为转载或网友发布,目的在于传递和分享信息,并不代表本网赞同其观点和对其真实性负责;文章版权归原作者及原出处所有,如涉及作品内容、版权和其它问题,我们将根据著作权人的要求,第一时间更正或删除。
WHG168 发表于 2012-2-26 19:08:11
分享广告。。。。
您需要登录后才可以发表评论 登录 | 立即注册

厂商推荐

相关视频

关于我们  -  服务条款  -  使用指南  -  站点地图  -  友情链接  -  联系我们
电子工程网 © 版权所有   京ICP备16069177号 | 京公网安备11010502021702
快速回复 返回顶部 返回列表