以更小巧封装提高效率的12V P沟道MOSFET（Diodes）
发布时间：2011-11-28 13:58
发布者：eechina
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Diodes公司推出微型12V P沟道强化型MOSFET——DMP1245UFCL，有助提升电池效率及减少电路板空间，并满足空间局限的便携式产品设计要求，如智能手机及平板计算机等。 这款新MOSFET采用超精密及高热效率的DFN1616封装，并具有极低的导通电阻 (RDS(on)) 特性，能将传导损耗降至最低水平，从而延长电池寿命。例如在VGS为4.5V的条件下，该MOSFET的导通电阻仅为29mΩ，这比其最接近的竞争对手产品的导通电阻性能还要优越15%，有利于电源中断及一般负载开关的应用。 
DFN1616的标准离板剖面为0.5毫米，比其对手的产品薄20%，并只占2.56平方毫米的印刷电路板面积 (PCB)，比竞争对手同类型2毫米乘2毫米的较大封装节省55%的空间。 同时，DMP1245UFCL为用户提供防静电放电 (ESD) 的增强保护。该MOSFET的额定闸极保护为3kV，比同类产品高出50%，因此对人为产生的静电放电所造成的影响有很强的抵御作用。 有关产品的进一步信息，可浏览www.diodes.com。 |
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