低导通损耗200/250V MOSFET (英飞凌)
发布时间：2010-1-25 20:20
发布者：嵌入式公社
|
英飞凌推出200V和250V OptiMOS系列器件，进一步扩大OptiMOSTM产品阵容。全新200V和250V器件适用于48V系统、DC/DC变换器、不间断电源（UPS）和直流电机驱动。凭借同类器件中最低的优质化系数（FOM），OptiMOS 200V和250V技术可使系统设计的导通损耗降低一半。 对于应用二极管整流的48V开关电源而言，工程师们现在有了全新的选择，从而使得整体效率大于95％。这比当前典型的效率水平高出两个百分点，从功率损耗的角度看，也就是发热量降低了30％，这满足了电信市场对更高能源效率的需求。 据称，相对于其他同类产品，OptiMOS 200V和250V系列器件的通态电阻RDS(on)降低了50％，使大电流应用能够实现最低的导通损耗。另外，业界最低的栅极电荷Qg （比同类产品低35%）有助于实现最低开关损耗和高速开关。实际应用比如通信电源的DC/DC变换。此外，该OptiMOS 200/250V 可以减少并联器件的数目，从而降低系统成本。同时，由于具备较低的通态电阻，可确保使用较小尺寸的散热器；而优化的开关特性，可确保实现简化的快速设计流程。 OptiMOS 200V和250V系列具备出色的特性，可使以往需要较大D2PAK封装（9mmx10mmx4.5mm）的应用转换到使用纤薄的SuperSO8封装（5mmx6mmx1mm）上来。因此，功率半导体器件占板空间可以降低90％以上。也就是说，系统的功率密度得以大幅度提高。此外，采用SuperSO8等无引脚封装，还可实现理想的开关特性，更高的效率以及 EMI水平。 
上市时间和定价 OptiMOS 200V和250V系列器件现已上市，包括通态电阻(25度下最大值)分别为10.7mΩ、20 mΩ、32 mΩ和60 mΩ的TO-220、TO-262、D2PAK和SuperSO8等封装形式。对于订货量为1万片的小批量订货，200V器件和250V器件的起价分别为1.2美元和1.4美元。 |
网友评论