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参与第3期Numonyx知识竞赛，赢取Altera Cyclone III 开发板和sd卡,你还在等什么，赶紧去参加把！
http://comm.ednchina.com/Company/Numonyx/Question.aspx
挑战问题三
问题1 随着如今的高容量存储器技术迈向下一代具有挑战性的30nm大关，人们认为相变存储器的理论极限尺度是？
20 nm
15 nm
10 nm
5 nm
问题2 Numonyx近期在何处发表了题为《硫族化合物相变存储器：未来十年的存储器技术》的文章？
2009年IEEE国际电子器件会议（IEDM）
2010年IEEE系统会议
BCS统计与预测会议
先进技术分会
问题3 下面哪种技术相较于另外三种生产技术其产品耐久度能够获得十倍以上的提升？
NAND SLC
NOR
PCM
NAND MLC
问题4 相变存储器单元的非结晶态和结晶态的转变导致电荷流经存储器单元时阻力的变化是下面哪种技术的典型范例？
电荷存储技术
浮动栅技术
状态转换技术
衰竭离子技术
问题5 下面哪种问题的产生于电荷存储单元面积的不断缩小有关？
可以存储电子的单元的质量
随着层数的增加，MLC可靠性的降低
每bit成本继续以传统方式降低时所面临的潜在困难
上述三个选项 |
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发表于 2010-1-20 14:43:03