低功率应用双PQFN2x2 和双PQFN3.3x3.3功率MOSFET(IR)

发布时间:2011-7-19 17:02    发布者:eechina
关键词: 功率MOSFET
国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 扩展其PQFN封装系列,推出PQFN 2mm x 2mm和PQFN 3.3mm x 3.3mm封装。新型封装集成了两个采用IR最新硅技术的HEXFET MOSFET,为低功率应用提供高密度、低成本的解决方案,这些应用包括智能手机、平板电脑、摄像机、数码相机、直流电动机、无线感应充电器、笔记本电脑、服务器、网通设备等。

新款PQFN2x2和PQFN3.3x3.3双器件在每一个封装上都配备了一对功率MOSFET, 提供共汲极和半桥拓扑的灵活性。这些器件利用IR最新的低压硅技术 (N和P) 来实现超低损耗。例如,IRLHS6276在只有4 mm2 的范围内,配备了两个典型导通电阻 (RDS(on)) 均为33mΩ的MOSFET。

Dual-PQFN.jpg

这个双PQFN系列包括专为高侧负荷开关优化的P通道器件,可提供更为简便的驱动解决方案。这些器件的封装厚度不到1 mm,与现有的表面贴装技术相兼容,并且拥有符合行业标准的占位空间,也符合电子产品有害物质管制规定  (RoHS) 。

产品规格
  
器件编号
  
  
封装
  
  
BV (V)
  
  
最大Vgs
  
  10V下的

  典型/最大导通电阻  (mΩ)

  
  4.5V

  典型/最大导通电阻 (mΩ)

  
  2.5V

  典型/最大导通电阻

(mΩ)


  
  IRFHS9351

  
  
PQFN
  
2x2
  
  
-30V
  
  
+/- 20 V
  
  
135 / 170
  
  
235 /
290

  
  
-
  
  IRLHS6276

  
  
PQFN
  
2x2
  
  
+20V
  
  
+/- 12 V
  
  
-
  
  
33 / 45
  
  
46 / 62
  
  IRLHS6376

  
  
PQFN
  
2x2
  
  
+30V
  
  
+/- 12 V
  
  
-
  
  
48 / 63
  
  
61 / 82
  
  IRFHM8363

  
  
PQFN
  
3.3x3.3
  
  
+30V
  
  
+/- 20 V
  
  
12/15
  
  
16 / 21
  
  
-
  


有关产品现正接受批量订单。相关数据和MOSFET产品选型工具请浏览IR 的网站 www.irf.com
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