Kilopass宣布将把单次可编程型NVM专利授权给中芯国际55nm制程产品

2011年06月29日 23:06    Liming
关键词: 55nm制程 , Kilopass , NVM专利 , 单次可编程型 , 中芯国际
非易失性存储芯片(NVM)专利厂商Kilopass公司本周二宣布,将把自己一项有关单次可编程型NVM产品专利授权给中芯国际使用,中芯国际将使用55nm制程技术制造使用了这项专利技术的NVM存储芯片。   
Kilopass同时表示,他们已经成功完成了基于中芯国际65nm制程产品的流片设计工作,两家公司自2005年起便建立了合作关系,当时Kilopass刚刚把其单次可编程NVM芯片的技术专利授权给中芯国际制造180nm制程产品。随后,Kilopass依次又将有关的技术授权给了中芯130nm,90nm,65nm级别制程的产品。

据Kilopass称,中芯国际的客户需要将这种NVM芯片嵌入到多媒体处理器,MCURFID IC射频识别芯片中去,以储存数据,自举代码,芯片ID等数据。

“很高兴看到中芯国际愿意继续在55nm制程产品上与我们合作研发NVM存储芯片技术。将制程由65nm进化到55nm后,芯片的面积和生产成本都将减小20%,而且不需要重新设计掩膜板,这对提高SOC芯片产品的竞争力而言非常有益。”

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Kilopass的几种反熔丝NVM技术单元电路



另据Kilopass宣称,其授权的双晶体管型反熔丝(2T antifuse)专利技术目前为止已经被使用在20亿片采用单次可编程型NVM存储技术解决方案的芯片产品上,这种专利技术只需要使用标准的CMOS逻辑电路即可构建,不需要变动掩膜板设计,芯片的制造工序/制造用设备等也可以保持不变。

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PS:反熔丝技术(antifuse)是一种金属间的可编程互连组件,与消费电子领域常见的闪存技术在晶体管结构上有所区别,但均可用于存储数据。反熔丝一般处于开路状态,且当编程后就形成一个永久性的无源低阻抗连接。由于对反熔丝编程需要多个高压脉冲,因此,高能粒子不可能改变其编程状态。
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