恩智浦NextPower MOSFET以行业最低RDS(on)全面提升效率
发布时间：2011-5-27 18:32
发布者：Liming
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恩智浦半导体NXP Semiconductors N.V. (NASDAQ：NXPI) 今日宣布，其采用LFPAK封装的NextPower系列25V和30V MOSFET将有15款新产品开始供货。这些恩智浦功率MOSFET家族的最新成员在六个关键参数方面找到了最佳平衡点，并且具有行业最低的RDS (on) （25V和30V均为亚1 mΩ级），是高性能、高可靠性开关应用的理想之选。传统方法主要着眼于降低RDS (on) 和Qg，而恩智浦NextPower则采用超结技术来优化低RDS (on)、低Qoss、低Qg(tot) 与Qgd之间的平衡，从而实现强大的开关性能，减少漏极输出与源极引脚之间的损耗，同时提供卓越的SOA性能。此外，恩智浦LFPAK作为最坚固的Power-SO8封装，尺寸紧凑，面积仅为5mm x 6mm，可在恶劣环境下提供出色的功率开关功能。 事实/要点： ·恩智浦NextPower系列25V和30V MOSFET在以下六个参数方面性能表现优异： o低RDS (on) —— 拥有行业最低RDS(on)的Power-SO8封装产品 —— 在SYNC FET或功率OR-ing应用下具有I2R损耗低、性能出色的特点 o低Qoss，有利于减少漏极与源引脚之间的损耗，当输出引脚上出现电压变化时，还可减少输出电容 (Coss) 中存储的损耗能量 o低Miller电荷 (Qgd)，有利于减少开关损耗和高频开关次数 oSOA性能可以极好地承受过载和故障条件 o低栅极电荷 (Qg) 可以减少栅极驱动电路中的损耗 o出色的额定结点温度Tj(max)，坚固型Power-SO8 LFPAK封装则为条件恶劣且对可靠性要求较高的环境提供了保障 ·主要应用领域包括同步降压稳压器、DC-DC转换、稳压器模块和功率OR-ing 积极评价： ·恩智浦半导体功率MOSFET部营销经理Charles Limonard表示：“在25V和30V条件下实现行业最低的RDS (on)，这只是其突出表现的一部分。最新NextPower器件的真正突破在于，我们还可以控制MOSFET行为的各个方面——超越导通电阻和栅极电荷——为开关应用带来高性能、高可靠性和最大功效。” 链接： ·采用LFPAK封装的NextPower 25V和30V MOSFET 型号： ·NextPower 25V MOSFET：PSMN0R9-25YLC、PSMN1R1-25YLC、PSMN1R2-25YLC、PSMN1R7-25YLC、PSMN1R9-25YLC、PSMN2R2-25YLC、PSMN2R9-25YLC、PSMN3R2-25YLC、PSMN3R7-25YLC、PSMN4R0-25YLC ·NextPower 30V MOSFET：PSMN1R0-30YLC、PSMN1R2-30YLC、PSMN1R5-30YLC、PSMN2R2-30YLC、PSMN2R6-30YLC、PSMN3R2-30YLC、PSMN3R7-30YLC、PSMN4R1-30YLC、PSMN4R5-30YLC 
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