IR推出优化版车用DirectFET 2功率MOSFET芯片组

发布时间:2011-5-3 16:14    发布者:1046235000
关键词: IR , 车用DirectFET , 功率MOSFET芯片 , 优化版
全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出了一款优化版车用 DirectFET®2 功率 MOSFET 芯片组,适合内燃机、混合动力和电动车中的 DC-DC 应用。

新型 40V 逻辑电平栅极驱动芯片组包含 AUIRL7732S2 MOSFET 和 AUIRL7736M2 MOSFET ,有助于最大限度减少 DC-DC 转换器的开关和传导损耗。这些器件也可用于更普遍的重载应用,如泵和风扇的变频驱动器,以及替代接线盒应用中的继电器

IR 亚太区销售副总裁潘大伟表示:“DirectFET2 功率封装提供了低电阻及低于 D2Pak 10 倍的寄生电感,从而保证优良的高频开关性能,减少波形振铃,而这也有助于限制电磁干扰和滤波器的大小。另外,新型车用 DirectFET2 芯片组还具备双面冷却和低导通电阻的特点,为 DC-DC 转换提供了理想的解决方案。”

AUIRL7732S2 逻辑电平 MOSFET 具备低栅极电荷 (Qg) 的特点,PCB 占用空间比采用 SO-8 封装小 38%,使其非常适用于同步降压转换器中的控制 MOSFET 位置。AUIRL7736M2 MOSFET 适用于同步开关位置,具有低导通电阻,PCB 大小与 5x6 PQFN 或 SO-8 封装一致。 AUIRL7732S2 和 AUIRL7736M2 的低电感可以在更高频率条件下实现比传统 MOSFET 更好的开关性能。

车用 DirectFET2 产品线基于多年的研究与开发,旨在开发出一个专为汽车应用,且立足于高度可靠、成熟的消费级DirectFET 产品的产品平台。

新器件符合 AEC-Q101 标准,是在 IR 要求零缺陷的汽车质量理念下研制而成的,所采用的环保材料既不含铅,也符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS) 。

产品规格
器件编号
封装
Vds
Rds(on) 典型值
Rds(on) 最大值
Qg (典型值)
AUIRL7732S2
S Can
40
5.0
6.6
22
AUIRL7736M2
M Can
40
2.2
2.9
52

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