通用选择器将大大提高MRAM存储技术能力
发布时间：2020-10-10 16:12
发布者：宇芯电子
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一种称为Universal Selector的新创新技术，它将显着提高现有和新兴存储技术（包括MRAM，DRAM和ReRAM）的功能，因为它将提供一种新颖的方式设计垂直单元晶体管，以实现更高水平的性能和可靠性和密度。 自旋存储器的通用选择器是一种选择性的垂直外延单元晶体管，其沟道的掺杂浓度足够低，可以完全耗尽。对于MRAM存储器，通用选择器使制造商能够创建6F2–10F2（6F2–10F2）的1T1R存储位单元，从而使制造商可以在同一面积内嵌入多达五倍的存储器，而所需的晶片处理成本却最低。 MRAM存储器可以抵抗高辐射，也可以在极端温度条件下运行，并且可以防篡改。这使得MRAM存储器适用于汽车和工业，军事和太空应用，这些对于MRAM存储器开发人员来说是重要的部分。 通用选择器是第一个真正的行业解决方案，可解决行锤干扰的DRAM问题，同时降低了软错误率（SER）和泄漏。 完全耗尽的单元晶体管以及其他独特的工艺和器件功能会导致关键的架构变化，从而使沟道与硅衬底完全电隔离。这完全消除了任何捕获或迁移的电子引起行锤的可能性，从而使该设计不受行锤的影响。 |
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