新千年信息怎样储存?又需要如何传输?MRAM芯片是磁阻随机存取存储器。1989年巨磁阻现像的发现及随后几年巨磁阻材料的开发,直至巨磁阻磁头GMR的制成与应用都为MRAM存储器研究开发奠定了基础。
1995年美国国防部高级研究计划署)为IBM、摩托罗拉及好莱坞等三家大企业提供基金进行高密、高速低耗MRAM芯片的开发,其技术指标及产品目标要求如下:
技术指标:
具有sram芯片的随机存取速率;
具有DRAM芯片的大容量存储密度;
具有EEPROM芯片存入数据的非易失性。
产品目标:
取代计算机的DRAM内存，
取代手机的EEPROM闪存。
表1列出MRAM芯片与目前常用的几种计算机内存SRAM、DRAM及闪存的性能比较。
表1SRAM、DRAM、EEPROM 及 MRAM的性能比较
由上述表中的四种内存只有MRAM能同时满足计算机内存的四项要求:非易失性、随机存取速率高、数据存储密度高以及耗电功率低等。因此美、日、欧等发达国家都很重视这项新技术,投巨资加速MRAM产品的商业化。
Everspin MRAM型号表
型号 | 容量 | 位宽 | | 温度 | 封装 | MOQ /托盘 | MOQ /卷带 | MR25H40CDC | 4Mb | 512Kx8 | 3.3V | -40℃to+85℃ | 8-DFN | 570 | 4,000 | MR20H40CDF | 4Mb | 512Kx8 | 3.3V | -40℃ to +85℃ | 8-DFN sf | 570 | 4,000 | MR25H40CDF | 4Mb | 512Kx8 | 3.3V | -40 ℃to +85℃ | 8-DFN sf | 570 | 4,000 | MR25H40MDF | 4Mb | 512Kx8 | 3.3V | -40℃ to +125℃ | 8-DFN sf | 570 | 4,000 | MR25H10CDC | 1Mb | 128Kx8 | 3.3V | -40℃ to +85℃ | 8-DFN | 570 | 4,000 | MR25H10MDC | 1Mb | 128Kx8 | 3.3V | -40℃ to +125℃ | 8-DFN | 570 | 4,000 | MR25H10CDF | 1Mb | 128Kx8 | 3.3V | -40℃ to +85℃ | 8-DFN sf | 570 | 4,000 | MR25H10MDF | 1Mb | 128Kx8 | 3.3V | -40℃ to +125℃ | 8-DFN sf | 570 | 4,000 | MR25H256CDC | 256Kb | 32Kx8 | 3.3V | -40℃ to +85℃ | 8-DFN | 570 | 4,000 | MR25H256MDC | 256Kb | 32Kx8 | 3.3V | -40℃ to +125℃ | 8-DFN | 570 | 4,000 | MR25H256CDF | 256Kb | 32Kx8 | 3.3V | -40℃ to +85℃ | 8-DFN sf | 570 | 4,000 | MR25H256MDF | 256Kb | 32Kx8 | 3.3V | -40℃ to +125℃ | 8-DFN sf | 570 | 4,000 |
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