格芯最新FinFET工艺12LP+研发成功:性能增加2成

发布时间:2020-7-6 13:00    发布者:eechina
关键词: 格芯 , FinFET , 12LP
来源:新浪VR

在过去一段时间里,格芯已经放弃了对于10nm一下制程的研发投入,同时还大力精简投资,出售旗下部分晶圆厂。不过,对于其现有的成熟工艺,格芯依旧保持了极高的优化热情。

最近,格芯正式对外宣布,旗下最先进的FinFET 12LP+工艺完成研发,并已准备正式投产。按照官方说法,12LP+的性能较前代(12LP)增加了20%、面积则减少了10%。这些参数的进步,主要得益于改进的模拟布局设计法则、新的低压SRAM、独立 鳍片单元和性能驱动的区块优化组件。

目前,12LP+已在当下火热的AI训练芯片领域通过了IP验证,可以在很大程度上压缩成本,产生更大价值。另外,格芯也在丰富12nmLP+的IP组合包,目标包括PCIe 3/4/5、USB 2/3主控芯片、HBM2/2e显存、DDR/LPDDR4/4X芯片、GDDR6芯片等。

据了解,格芯的12nmLP+将主要放在美国本土纽约州Malta的Fab8工厂生产,今年下半年内会有多套方案流片。

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