长鑫存储与蓝铂世签署专利许可协议

发布时间:2020-4-28 16:26    发布者:eechina
关键词: 长鑫 , Rambus , DRAM
日前,长鑫存储技术有限公司(以下简称“长鑫存储”)与美国半导体公司Rambus Inc.(以下简称“蓝铂世”)签署专利许可协议。依据此协议,长鑫存储从蓝铂世获得大量动态随机存取存储(以下简称“DRAM”)技术专利的实施许可。

长鑫存储董事长兼首席执行官朱一明表示:“与蓝铂世达成的协议再次表明,长鑫存储高度重视知识产权相关的国际规则,持续强化知识产权组合。公司致力于通过自主研发与国际合作,不断增加在半导体核心技术和高价值知识产权方面的积累,并以此为基础实现可持续发展,稳步提升市场竞争力。”

蓝铂世总裁兼首席执行官Luc Seraphin表示:“在中国 DRAM 市场投资显著增长的背景下,长鑫存储脱颖而出,成为中国 DRAM 产业的引领者。我们高兴地看到长鑫存储走上 DRAM 产业的国际舞台。这份长期协议的签署为长鑫存储的业务发展提供权益保障,同时认可了蓝铂世广泛的存储技术专利组合的重要价值。”

根据双方达成的一致,此协议中的其它详细信息不予披露。

本文地址:https://www.eechina.com/thread-587038-1-1.html     【打印本页】

本站部分文章为转载或网友发布,目的在于传递和分享信息,并不代表本网赞同其观点和对其真实性负责;文章版权归原作者及原出处所有,如涉及作品内容、版权和其它问题,我们将根据著作权人的要求,第一时间更正或删除。
您需要登录后才可以发表评论 登录 | 立即注册

厂商推荐

关于我们  -  服务条款  -  使用指南  -  站点地图  -  友情链接  -  联系我们
电子工程网 © 版权所有   京ICP备16069177号 | 京公网安备11010502021702
快速回复 返回顶部 返回列表