东芝推出采用其最新一代工艺的80V N沟道功率MOSFET，助力提高电源效率

发布时间：2020-3-31 10:10 发布者：eechina

–进一步扩展U-MOS X-H功率MOSFET系列产品线–

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，其“U-MOS X-H系列”产品线新增采用其最新一代工艺制造而成的80V N沟道功率MOSFET--- TPH2R408QM和TPN19008QM。新款MOSFET适用于数据中心和通信基站所用的工业设备的开关电源。

U-MOS X-H系列产品示意图

新增产品包括采用表面贴装SOP Advance封装的“TPH2R408QM”以及采用TSON Advance封装的“TPN19008QM”。产品于今日开始出货。

由于采用了其最新一代的工艺制造技术，与当前U-MOS Ⅷ-H系列中的80V产品相比，新款80V U-MOS X-H产品的漏源导通电阻降低了大约40%。通过优化器件结构，漏源导通电阻与栅极电荷特性之间的平衡也得到了进一步的改善。因此，新产品可提供业界最低功耗。

东芝正在扩展其降耗型产品线，从而为降低设备功耗提供帮助。

应用：

开关电源（高效AC-DC转换器、DC-DC转换器等）
电机控制设备（电机驱动等）

特性：

业界最低功耗（通过改善导通电阻与栅极电荷特性之间的平衡）
业界最低导通电阻：

RDS(ON)=2.43mΩ（最大值）＠VGS=10V（TPH2R40QM）
RDS(ON)=19mΩ（最大值）＠VGS=10V（TPN19008QM）

高额定通道温度：Tch=175℃

主要规格：
（除非另有说明，@Ta＝25℃）

器件型号			TPH2R408QM	TPN19008QM
绝对	漏源电压VDSS（V）		80	80
最大	漏极电流（DC）ID（A）	@Tc=25℃	120	34
额定值	通道温度Tch（℃）		175	175
电气	漏源导通电阻	@VGS=10V	2.43	19
特性	RDS(ON)最大值（mΩ）	@VGS=6V	3.5	28
	总栅极电荷（栅源+栅漏）		87	16
	Qg典型值（nC）		87	16
	栅极开关电荷Qsw典型值（nC）		28	5.5
	输出电荷Qoss典型值（nC）		90	16.5
	输入电容Ciss典型值（pF）		5870	1020
封装	名称		SOP Advance	TSON Advance
封装	尺寸典型值（mm）		5.0×6.0	3.3×3.3
库存查询与购买			在线购买	在线购买

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https://toshiba-semicon-storage. ... v-300v-mosfets.html

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TPH2R408QM
https://toshiba-semicon-storage. ... eck.TPH2R408QM.html
TPN19008QM
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