浅谈5G和交通电气化的核心是SiC和GaN功率射频器件

　　我们可以从这则消息以及Yole关于这类器件的研究报告中了解更多的信息，包括《RF GaN市场应用、技术及衬底-2018版》和《功率SiC(碳化硅)材料、器件、模组及应用-2017版》。

　　2018年2月26日，关于Wolfspeed对其投资者发布的公告，无疑是SiC和GaN产业过去两周内最大的新闻。早在2015年，将分拆其SiC功率和GaN射频业务，即Wolfspeed品牌。在2016年初步同意以8.5亿美元将wolfspeed出售，包括SiC晶片业务以及SiC功率和GaN射频业务。但是，在2017年这一收购被美国外国投资委员会阻止了。

　　交易失败后， 决定“将我们的发展重点转移到Wolfspeed业务”。在2月26日当日， 宣布已经完成战略调整，且会把更多的精力放在Wolfspeed——这个最小却最赚钱的业务部门。2017年，包括Wolfspeed材料、SiC功率器件和GaN射频器件业务的营收为2.21亿美元，据预测，这些业务将在未来五年内成长为公司最大的业务部门。为了实现这一目标， 将其大部分资金投资聚焦在Wolfspeed，以不断扩展。

　　随着更多电信基站升级的需求增加和小型基站不断的安装启用，Yole 预计射频功率电子市场在未来几年会强劲增长——更多详情，可参考Yole发布的《RF功率市场和技术-2017版》、《RF GaN市场应用、技术及衬底-2018版》和《5G对射频前端产业的影响》。

　　2015-2025年电信基站的主要趋势

　　图片来源：《RF GaN市场应用、技术及衬底-2018版》

　　2016至2022年底，射频功率电子市场总营收可能增长75%，在此期间的复合年增长率为9.8%。这意味着该市场规模将从2016年的15亿美元增长到2022年的超过25亿美元。市场当前正处于完成4G网络的节点，并开始向5G过渡。虽然还有很多问题有待解决和建立，但有些事情是肯定的。新的无线电网络需要更多的设备和更高的频率。射频GaN市场总体规模将在2023年底扩大3.4倍， 2017-2023年期间的复合年增长率达到22.9%。因此这对芯片供应商来说是一个巨大的机会。

　　按应用细分的射频GaN器件市场

　　图片来源：《RF GaN市场应用、技术及衬底-2018版》

　　 为抓住5G市场潜在机遇，重金投入氮化镓射频器件可是认真的。3月6日， 宣布将以约3.45亿欧元收购英飞凌射频功率业务。交易内容包括：

　　- 位于美国加利福尼亚摩根希尔的重要工厂，主要包括LDMOS和SiC衬底的GaN封装测试业务;

　　- 与领先的无线基础设施设备制造商已建立的良好的客户关系，包括现场支持人员;

　　- 包括美国本土的摩根希尔、钱德勒、亚利桑那州以及芬兰、瑞典、中国和韩国等地的约260名员工;

　　- 交易过渡期服务协议，为确保业务的连续性和平稳过渡，根据协议，英飞凌将在接下来大约90天内，负责几乎全部的业务运营;

　　- 为支持交易，将利用其在德国雷根斯堡的晶圆厂，为 提供LDMOS圆片及相关元件的长期供货协议，还将利用其在马来西亚马六甲的工厂，提供装配及测试服务。

　　通过本次交易，Wolfspeed获得了封装专业技术和供应链资源，并与主要的无线基础设施设备制造商建立了长期的战略合作关系，如诺基亚和爱立信。

　　此外，功率SiC市场对 和英飞凌都同样非常重要。事实上，正是因为如此重要，英飞凌才保留这项业务，并重金投入生产与研发。两家公司已经签署了长期协议，英飞凌可以从 获得6英寸SiC晶片。这保证了英飞凌的晶片供应，能够支撑其在光伏(PV)、交通运输电气化和其他应用中对功率SiC器件的旺盛需求。其中，交通运输电气化细分市场需求尤其显著，因为多个汽车制造商已经推出或宣布在汽车中使用SiC功率器件，包括比亚迪、特斯拉、丰田和雷诺。

　　Yole最新的《功率SiC(碳化硅)材料、器件、模组及应用-2017版》报告中预测，整个功率SiC器件市场在未来五年里有28%的复合年增长率，在2020年市场规模将达到11亿美元。Yole预期电动汽车(EV)的板载充电器和光伏逆变器中的SiC器件应用会有快速的增长。 和英飞凌在化合物半导体材料层面建立了密切的合作关系，但在功率器件层面，两者又彼此竞争。

　　双方新的交易协议对 很有利，因为通过借助英飞凌的功率射频资产可以增强其射频GaN业务，并得到了一份关于SiC材料的长期合同。英飞凌和 接下来的市场表现，我们拭目以待。