嵌入式MRAM关键应用与制造商
发布时间：2020-3-20 16:52
发布者：
英尚微电子
STT-MRAM越来越多地被广泛用于嵌入式内存应用之中，STT-MRAM 具有的高存储密度、低能耗、低误率等优势使其有着巨大的优势。以取代闪存、EEPROM和SRAM，有多家逻辑组件IDM /晶圆代工厂正在提供嵌入式STT-MRAM解决方案：其中还包括台积电(TSMC，22nm ULL CMOS)、三星(Samsung，28nm FD-SOI)、GLOBALFOUNDRIES (22nm FD-SOI)、英特尔(Intel，22nm FinFET)。
从目前的市场角度来看，虽然现在的NAND和DRAM在未来几年占据主导地位,但是MRAM预计将会有显著成长。根据市场研究机构报告，到2024年的STT-MRAM市场可望达到 18亿美元规模(包括12亿美元规模的嵌入式方案，以及约6亿美元的独立组件)，2018到2024年间的复合年成长率为85%，总产量超过30万片晶圆(wafer production volume)，同期间复合年成长率为126%。
MRAM市场报告
未来我们将会看到嵌入式STT-MRAM 出现在诸如物联网(IoT)、微控制器(MCU)、汽车、边缘运算和人工智能(AI)等应用中。美国Everspin还提供了几种独立的MRAM产品，锁定包括航天、汽车、储存、工厂自动化、IoT、智慧能源、医疗和工业机器控制/运算等应用。英尚微电子作为EVERSPIN授权的总代理,不断给市场提供高质量的MRAM芯片,在数据中心和云存储，业汽车和运输市场中提供MRAM和STT-MRAM产品。
Everspin STT-MRAM 256MbDensity | Org. | Part Number | Voltage | Speed | Package | Pack/Ship | 256Mb | 16Mb x 16 | EMD3D256M16G2-150CBS1T | 1.5v +/- 0.075v | 1333 | BGA | Tray | 256Mb | 16Mb x 16 | EMD3D256M16G2-150CBS1R | 1.5v +/- 0.075v | 1333 | BGA | Tape and Reel | 256Mb | 16Mb x 16 | EMD3D256M16G2-150CBS2T | 1.5v +/- 0.075v | 1333 | BGA | Tray | 256Mb | 32Mb x 8 | EMD3D256M08G1-187CBS2T | 1.5v +/- 0.075v | 1066 | BGA | Tray | 256Mb | 32Mb x 8 | EMD3D256M08G1-150CBS2T | 1.5v +/- 0.075v | 1333 | BGA | Tray | 256Mb | 16Mb x 16 | EMD3D256M16G2-187CBS2T | 1.5v +/- 0.075v | 1066 | BGA | Tray | 256Mb | 16Mb x 16 | EMD3D256M16G2-150CBS2R | 1.5v +/- 0.075v | 1333 | BGA | Tape and Reel | 256Mb | 32Mb x 8 | EMD3D256M08G1-187CBS2R | 1.5v +/- 0.075v | 1066 | BGA | Tape and Reel | 256Mb | 32Mb x 8 | EMD3D256M08G1-150CBS2R | 1.5v +/- 0.075v | 1333 | BGA | Tape and Reel | 256Mb | 16Mb x 16 | EMD3D256M16G2-187CBS2R | 1.5v +/- 0.075v | 1066 | BGA | Tape and Reel | 256Mb | 32Mb x 8 | EMD3D256M08G1-150CBS1 | 1.5v +/- 0.075v | 1333 | BGA | Trays | 256Mb | 32Mb x 8 | EMD3D256M08G1-150CBS1T | 1.5v +/- 0.075v | 1333 | BGA | Tray | 256Mb | 32Mb x 8 | EMD3D256M08G1-150CBS1R | 1.5v +/- 0.075v | 1333 | BGA | Tape and Reel | 256Mb | 16Mb x 16 | EMD3D256M16G2-150CBS1 | 1.5v +/- 0.075v | 1333 | BGA | Trays |
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