SRAM芯片is62wv51216

发布时间:2020-3-17 14:57    发布者:英尚微电子
关键词: SRAM芯片 , is62wv51216 , SRAM , ISSI代理
ISSI IS62WV51216ALL/IS62WV51216BLL是高速8M位静态RAM,组织为512K字乘16位。它是使用ISSI的高性能CMOS技术制造的。这种高度可靠的工艺加上创新的电路设计技术,可生产出高性能和低功耗的设备。

当CS1为HIGH(取消选择)或CS2为LOW(取消选择)或CS1为LOW,CS2为HIGH且LB和UB均为HIGH时,器件将处于待机模式,在该模式下,可通过CMOS输入降低功耗水平。

使用芯片使能和输出使能输入可轻松扩展存储器。激活的LOW Write Enable(WE)控制存储器的写入和读取。数据字节允许访问高字节(UB)和低字节(LB)。

IS62WV51216ALL和IS62WV51216BLL封装在JEDEC标准的48引脚迷你BGA(7.2mmx8.7mm)和44引脚TSOP(TYPE II)中。英尚微电子亲自授权为ISSI代理,为各行业领域提供各种SRAM芯片,保持长期供货,完成客户各方面的需求.
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英尚微电子 发表于 2020-3-17 14:57:59
ISSI IS62WV51216ALL/IS62WV51216BLL是高速8M位静态RAM,组织为512K字乘16位。它是使用ISSI的高性能CMOS技术制造的。这种高度可靠的工艺加上创新的电路设计技术,可生产出高性能和低功耗的设备。
英尚微电子 发表于 2020-3-17 14:58:30
当CS1为HIGH(取消选择)或CS2为LOW(取消选择)或CS1为LOW,CS2为HIGH且LB和UB均为HIGH时,器件将处于待机模式,在该模式下,可通过CMOS输入降低功耗水平。
英尚微电子 发表于 2020-3-17 14:59:07
使用芯片使能和输出使能输入可轻松扩展存储器。激活的LOW Write Enable(WE)控制存储器的写入和读取。数据字节允许访问高字节(UB)和低字节(LB)。
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