Vishay推出采用PowerPAK 1212 8S封装的-30 V P沟道MOSFET,RDS(ON)达到业内最低水平,提高功率密度,降低便携式电子设备功耗

发布时间:2020-2-12 15:48    发布者:eechina
关键词: TrenchFET , p沟道 , SiSS05DN
器件占位面积10.89 mm2,RDS(ON)降至3.5 mΩ,FOM降至172 m*nC,均为业内最佳水平

Vishay推出新型-30 V p沟道TrenchFET第四代功率MOSFET---SiSS05DN,器件采用热增强型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK 1212-8S封装,10 V条件下导通电阻达到业内最低的3.5 mΩ。于此同时,导通电阻与栅极电荷乘积,即MOSFET在开关应用的重要优值系数(FOM)为172 m*nC,达到同类产品最佳水平。节省空间的Vishay Siliconix SiSS05DN专门用来提高功率密度,占位面积比采用6mm x 5mm封装的相似导通电阻器件减小65 %。

20200211_SiSS05DN.jpg

日前发布的MOSFET导通电阻比上一代解决方案低26 %,比市场上排名第二的产品低35 %,而FOM比紧随其后的竞争器件低15 %。这些业内最佳值降低了导通和开关损耗,从而节省能源并延长便携式电子设备的电池使用寿命,同时最大限度降低整个电源路径的压降,以防误触发。器件紧凑的外形便于安装在PCB面积有限的设计中。

行业标准面积尺寸的SiSS05DN可直接替代升级5 V至20 V输入电源应用中的现有器件。该MOSFET适用于适配器和负载开关、反向极性保护、电池供电设备电机驱动控制、电池充电器、消费类电子、计算机、电信设备等。

器件经过100 % RG和UIS测试,符合RoHS标准,无卤素。

SiSS05DN现可提供样品并已实现量产,供货周期为12周,视市场情况而定。

欢迎分享本文,转载请保留出处:http://www.eechina.com/thread-577411-1-1.html     【打印本页】
您需要登录后才可以发表评论 登录 | 立即注册

厂商推荐

关于我们  -  服务条款  -  使用指南  -  站点地图  -  友情链接  -  联系我们
电子工程网 © 版权所有   京ICP备16069177号 | 京公网安备11010502021702
快速回复 返回顶部 返回列表