集成外部SiC二极管可提供更高能效
发布时间：2019-9-12 13:11
发布者：heshuhan
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专家介绍，AFGHL50T65SQDC采用最新的场截止IGBT和SiC肖特基二极管技术，提供低导通损耗和开关损耗，用于多方面的电源应用，包括那些将得益于更低反向恢复损耗的应用，如基于图腾柱的无桥功率因数校正(PFC)和逆变器。下面一起来阅读本文，了解具体的知识。 该器件将硅基IGBT与SiC肖特基势垒二极管共同封装，从而在硅基方案的较低性能和完全基于SiC方案的较高成本之间提供出色的权衡。该高性能器件额定工作电压650V，能够处理高达100A@25C(50A@100C)的连续电流，以及高达200A的脉冲电流。 对于需要更大电流能力的系统，正温度系数令并行工作更简便。现代电动汽车的应用不仅利用能源行驶，在某些情况下还储存能量，以便在高峰时期为家庭供电。这需要一个双向充电器，必须有高的开关效率，以确保转换时不浪费能量。 在这种情况下，集成外部SiC二极管的IGBT比MOSFET方案提供更高能效，因为没有相关的正向或反向恢复损耗。 富昌电子[Future Electronics]是全球领先的电子元器件分销商，提供全面的[usb连接器]等产品线，在业界享有盛名。作为一家全球整合的公司，富昌电子依托全球一体化信息平台，使客户能够实时查询库存情况和供需动态。富昌电子官网是富昌官方[RC1206JR-070RL]在内的热门料号，欢迎咨询。 富昌电子https://www.futureelectronics.cn |
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