新款2.5 A IGBT和MOSFET驱动器提高逆变器级工作效率

发布时间:2019-8-18 18:32    发布者:heshuhan

  日前,VishayIntertechnology,Inc.宣布,推出新的2.5AIGBTMOSFET驱动器,扩展其光电产品组合。VishaySemiconductorsVOD3120A采用DIP-8和SMD-8封装,低压降输出电流损耗仅为3.5mA,可用于提高逆变器级工作效率。下面来看看文章的介绍。
  日前发布的光耦采用CMOS技术,含有集成电路与轨到轨输出级光学耦合的AIGaAsLED,为门控设备提供所需驱动电压。VOD3120电压和电流使其成为直接驱动1200V/100A额定值IGBT的理想选择。
  器件高隔离电压分别为VIORM=891V,VIOTM=6000V,可用于电机驱动器、太阳能逆变器、开关电源(SMPS)、感应炉面、不间断电源(UPS)电流隔离。此外,其欠压锁定(UVLO)功能避免IGBT/MOSFET发生故障,最低35kV/μs共模瞬变抑制能力有助于消除PCB高压到低压区域噪声问题。
  光耦最大传播延迟为0.5μs,极为适于要求快速开关的应用。器件符合RoHS标准,可在15V至30V电源电压和-40°C至+105°C工业温度下工作。
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