Vishay推出新款60 V MOSFET,是业内首款适用于标准栅极驱动电路的器件

发布时间:2019年08月12日 18:08    发布者:eechina
关键词: n沟道 , 功率MOSFET , SiSS22DN
器件专门用于标准栅极驱动电路,栅极电荷低至22.5 nC,QOSS为34.2 nC,采用PowerPAK 1212-8S封装

Vishay推出新款60 V TrenchFET第四代n沟道功率MOSFET---SiSS22DN,业内首款适用于标准栅极驱动电路的器件,10 V条件下最大导通电阻降至4 m,采用热增强型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK 1212-8S封装。Vishay Siliconix SiSS22DN专门用于提高功率转换拓扑结构的效率和功率密度,栅极电荷仅为22.5 nC,同时具有低输出电荷(QOSS)。
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与逻辑电平60 V器件不同,SiSS22DN提高了典型VGS(th)和Miller(米勒)平台电压,适用于栅极驱动电压高于6 V的电路,器件最佳动态特性缩短死区时间,防止同步整流应用发生击穿。SiSS22DN业内低导通电阻比排名第二的产品低4.8%—与领先的逻辑电平器件不相上下—QOSS为34.2 nC,QOSS与导通电阻乘积,即零电压开关(ZVS)或开关柜拓扑结构功率转换设计中,MOSFET的重要优值系数(FOM)达到最佳水平。为实现更高功率密度,器件比6 mm x 5 mm封装类似解决方案节省65%的PCB空间。

SiSS22DN改进了技术规格,经过调校最大限度降低导通和开关损耗,多电源管理系统构件可实现更高效率,包括AC/DC和DC/DC拓扑结构同步整流、DC/DC转换器主边开关、降压-升压转换器半桥MOSFET功率级,以及通信和服务器电源OR-ing功能、电动工具和工业设备电机驱动控制和电路保护、电池管理模块的电池保护和充电。

MOSFET经过100 % RG和UIS测试,符合RoHS标准,无卤素。

SiSS22DN现可提供样品并已实现量产,供货周期为30周,视市场情况而定。

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