氮化镓解决方案投入量产

发布时间:2019年08月11日 21:08    发布者:heshuhan
  专业指出,放眼市场,CoolGaN™拥有行业领先的可靠性。在质量控制过程中,我们不仅对器件本身进行全面测试,而且对其在应用环境中的性能进行全面测试。这确保了CoolGaN™开关满足甚至优于最高质量标准。下面一起来看看。
  CoolGaN™600V增强型HEMT可提供70mΩ和190mΩ的SMD封装,确保杰出的散热性能和低寄生效应。通过提供全系列SMD封装产品,英飞凌旨在支持高频运行的应用,如企业级超大规模数据中心服务器、通信整流器、适配器、充电器、SMPS和无线充电设施等。
  英飞凌新推出的氮化镓开关管驱动芯片EiceDRIVERIC——1EDF5673K、1EDF5673F和1EDS5663H——是CoolGaN™增强型HEMT的完美搭档。它们经专门研发,以确保CoolGaN™开关实现强健且高效的运行,同时最大限度地减少工程师研发工作量,加快将产品推向市场。
  不同于传统功率MOSFET的栅极驱动IC,这个针对英飞凌CoolGaN™量身定制的栅极驱动IC可提供负输出电压,以快速关断氮化镓开关。在开关应处于关闭状态的整个持续时间内,GaNEiceDRIVERIC可以使栅极电压稳定保持为零。
  这可保护氮化镓开关不受噪音导致误接通的影响,哪怕是首脉冲,这对于SMPS实现强健运行至关重要。氮化镓栅极驱动IC可实现恒定的GaNHEMT开关转换速率,几乎不受工作循环或开关速度影响。
  这可确保运行稳健性和很高能效,大大缩短研发周期。它集成了电隔离,可在硬开关和软开关应用中实现强健运行。它还可在SMPS一次侧和二次侧之间提供保护,并可根据需要在功率级与逻辑级之间提供保护。
  富昌电子[FutureElectronics]是全球知名的[电子元器件购买]平台,授权代理[意法半导体]等数百家全球知名半导体供应商,覆盖[铝电解电容器]等众多产品线,热门料号包括[U.FL-R-SMT-1(10)]。
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