20V双N沟道trench MOSFET提供低漏电流
发布时间：2019-8-5 13:32
发布者：ningxueqin
|
Nexperia的PMDXB600UNEL是一款双N沟道增强型MOSFET，其最大漏-源电压额定值为20V。下面具体来了解一下相关知识。 PMDXB600UNEL采用小型、无引线DFN1010B-6（SOT1216）表面贴装封装，尺寸为1.1mm×1.0mm×0.37mm，以其极低漏电流而闻名。 在25°C下、漏源电压为5V时，漏极漏电流最大为25nA，同样25°C下、栅源电压为±1.8V时，栅极漏电流最大为±50nA。 PMDXB600UNEL的封装具有裸露的漏极焊盘，可提高导热性。结至焊点的热阻仅为31K/W。漏源导通电阻的额定值低至470mΩ，有助于器件在开关电源转换器中实现良好的效率。 除了PMDXB600UNEL，Nexperia还提供PMDXB600UNEL的20V互补N/P沟道器件：PMCXB900UEL，以及20V双P沟道MOSFET：PMDXB950UPEL。这两款器件都提供低漏电流操作。 如您对以上产品感兴趣，可登陆富昌电子[FutureElectronics]官网，了解更多包括[GRM1885C1H100JA01D]等热门料号在内的产品信息。富昌电子与多家[电子元件公司]合作，为您提供包括[电容]在内，品类丰富的电子元器件产品线。 富昌电子https://www.futureelectronics.cn |
网友评论