具有低封装电感的600V和650V MOSFET

发布时间:2019-7-12 13:03    发布者:ningxueqin
  VishayIntertechnology推出了3款采用小尺寸、表面贴装PowerPAK®SO-8L封装的N沟道器件,扩充其600V和650VE系列功率MOSFET。下面具体来了解一下。
  VISHAY600VSiHJ8N60E、650VSiHJ6N65E和SiHJ7N65EMOSFET更省空间,可替代TO-252(DPAK)封装的MOSFET,具有低封装电感
  SiHJ8N60E、SiHJ6N65E和SiHJ7N65E的尺寸为5mmx6mm,占板空间和高度只有TO-252(DPAK)封装器件的一半。而且,与无引线DFN封装的MOSFET相比,碰到温度循环情况时,PowerPAKSO-8L封装的鸥翼引线结构能有效提高板级的可靠性。
  SiHJ8N60E、SiHJ6N65E和SiHJ7N65E使用Vishay最新的高能效E系列超级结技术制造,导通电阻与栅极电荷乘积更低,该参数是评价功率转换应用中MOSFET的优值系数。
  在功率因数校正、反激、双管正激转换器,以及HID和LED照明应用的硬开关拓扑中,这些参数意味着MOSFET能实现极低的传导和开关损耗,有效节约能源。
  富昌电子[Future Electronics]是全球领先的电子元器件分销商,提供全面的[射频连接器]等产品线,在业界享有盛名。作为一家全球整合的公司,富昌电子依托全球一体化信息平台,使客户能够实时查询库存情况和供需动态。富昌电子官网是富昌官方[08051C104KAT2A]在内的热门料号,欢迎咨询。
     富昌电子https://www.futureelectronics.cn




本文地址:https://www.eechina.com/thread-565810-1-1.html     【打印本页】

本站部分文章为转载或网友发布,目的在于传递和分享信息,并不代表本网赞同其观点和对其真实性负责;文章版权归原作者及原出处所有,如涉及作品内容、版权和其它问题,我们将根据著作权人的要求,第一时间更正或删除。
您需要登录后才可以发表评论 登录 | 立即注册

厂商推荐

关于我们  -  服务条款  -  使用指南  -  站点地图  -  友情链接  -  联系我们
电子工程网 © 版权所有   京ICP备16069177号 | 京公网安备11010502021702
快速回复 返回顶部 返回列表