| | 金属-氧化物- 半导体场效应晶体管特性的IV特性测试实验 | | | | | | | · 霍尔电压VH · 霍尔电阻率ρ · 霍尔系数RH · 载流子浓度n · 霍尔迁移率u | | · LIV特性曲线 · 阈值电流对应电压值Vth · 拐点Kink · 线性电阻Rs | | · 开路电压Voc · 短路电流Isc · 功率最大值Pmax · 填充因子FF · 转换效率η · 串联电阻Rs · 旁路电阻Rsh |
★本科生微电子器件及材料实验测试平台核心
§ 测试平台的核心 – 源测量单元 (源表, SMU) 四 表 合 一 多通道配置四象限模式 四线/开尔文测试功能 小信号测试 file:///C:/Users/liuyang/AppData/Local/Temp/ksohtml/wps8513.tmp.png满足先进器件和材料测试需求 标准器件测试库
★本科生微电子器件及材料实验测试基础平台和升级选件
★本科生微电子器件及材料实验测试选型指南 | 2600双通道源表 专业测试软件 专业测试导线 夹具盒 | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | |
基础平台: 2600双通道源表 + 专业测试软件+ 专业测试导线+ 夹具盒 +手动探针台 升级选件: 积分球,暗电流测试表,开关,磁场
★本科生微电子器件及材料实验测试平台优势
满足本科生基础教学实验中微电子器件和材料测试需求 测试设备和软件简单易用,专业权威,方便学生动手操作 核心设备测试精度高,满足新材料和新器件的指标要求 以基础平台为起点,可逐步升级,满足日益增加的实验室测试需求
附录一:金属—氧化物—半导体场效应晶体管特性IV特性测试实验
q §实验目的 §掌握MOSFET的输出特性测试及分析方法 §学习利用MOSFET的电学特性曲线求解各种参数 q q实验原理 §金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)是 集成电路中特别重要的元器件。通过对MOSFET的直流输入特性、输出特性等电学特性测试,可以推算出器件的阈值电压、导通电阻、击穿电压、跨导等重要参数。 q q 实验设备和测试结果
附录二:MSO电容的准静态CV特性测试实验 q 实验目的 § 掌握准静态法测量界面态密度分布的原理 § 熟练掌握准静态C-V测量系统的使用方法 q 实验原理 § 通过测试MOS电容的高频和低频C-V特性曲线可以得到栅氧化层厚度、界面 态密度、平带电容、平带电压等参数。 q 实验设备和测试结果
附录三:半导体霍尔效应测试实验
q 实验目的 § 理解和掌握霍尔效应的原理 § 掌握霍尔效应的测量方法 § 掌握霍尔效应的分析方法 q 实验原理 § 霍尔系数的符号来判断半导体材料的导电类型,是N型还是P型;根据霍尔系数及其与温度的关系可以计算载流子的浓度,以及载流子浓度同温度的关系,由此可以确定材料的禁带宽度和杂质电离能;通过霍尔系数和电阻率的联合测量能够确定载流子的迁移率,用微分霍尔效应法可测纵向载流子浓度分布;测量低温霍尔效应可以确定杂质补偿度。 q 实验设备和测试结果
附录四:激光二极管LD的LIV特性测试实验
q 实验目的 • 掌握激光二极管LD的基本原理 • 掌握激光二极管LD的测量方法 • 学习利用激光二极管LD的LIV特性曲线求解各种参数 q 实验原理 § 半导体激光二极管(LD)或简称半导体激光器,它通过受激辐射发光,是一种阈值器件,适合于作高速长距离光纤通信系统的光源。一般用注入电流值来标定阈值条件,也即阈值电流 。LIV特性是选择半导体激光器的重要依据。 q 实验设备和测试结果
附录五:太阳能电池的特性表征
q 实验目的 § 掌握太阳能电池的基本原理 § 掌握太阳能电池的特性测试及分析方法 § 学习利用太阳能电池的电学特性曲线求解各种参数 q 实验原理 § 光能就以产生电子-空穴对的形式转变为电能。如果半导体内存在P-N结,则 在P型和N型交界面两边形成势垒电场,能将电子驱向N区,空穴驱向P区, 在P-N结附近形成与势垒电场相反的光生电场。若分别在P型层和N型层焊上 金属引线,接通负载,则外电路便有电流通过。如此形成的一个个电池原件, 把它们串联、并联起来,就能产生一定的电压和电流,输出功率。 q 实验设备和测试结果
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