CISSOID展出新款高温栅极驱动器、碳化硅器件及功率模块

发布时间:2019年05月13日 10:05    发布者:eechina
关键词: 栅极驱动 , 碳化硅 , SiC
CISSOID,在2019年欧洲功率电子及智能传动产品展览会(PCIM 2019)上展示了最新的高温栅极驱动器、碳化硅(SiC)MOSFET器件和IGBT功率模块。PCIM 2019是全球领先的电力电子、智能传动、可再生能源和能源管理展览及会议。

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CISSOID公司推出了一款新型栅极驱动器板,该板针对额定温度为125°C(环境温度)的62mm碳化硅MOSFET功率模块进行了优化。该板基于CISSOID的HADES栅极驱动器芯片组,还可以驱动IGBT功率模块,同时可为汽车和工业应用中高密度功率转换器的设计提供散热空间。它支持高频(> 100KHz)和快速的碳化硅MOSFET开关(dV/dt> 50KV/μs),从而可以提升功率转换器的效率并减小其尺寸和重量。该板专为恶劣的电压环境而设计,支持1200V和1700V功率模块的驱动,隔离电压高达3600V(经过50Hz、1分钟的耐压测试),爬电距离为14mm。欠压锁定(UVLO)、有源米勒钳位(AMC)和去饱和检测等保护功能,确保一旦发生故障时既可以保证安全驾驶,还能为功率模块提供可靠的保护。“这款新型碳化硅栅极驱动器板是与汽车、运输和航空航天市场中的行业领导者们多年合作开发的成果。它结合了CISSOID在碳化硅器件方面的专业知识以及设计适应恶劣环境的芯片和电子系统方面的长期经验。”CISSOID工程副总裁Etienne Vanzieleghem 先生表示。

在纽伦堡,CISSOID还展示了最新的碳化硅MOSFET器件和IGBT功率模块。一款新型分立式1200V/40mOhms碳化硅MOSFET晶体管已可供货,其采用TO-247封装,可以在-55°C至175°C的温度范围内正常工作。该MOSFET在25°C(结温)时,漏极到源极导通电阻是40mOhms,在175°C(结温)时,导通电阻是75mOhms。很低的开关导通和关断能量(分别为1mJ和0.4mJ)使该器件成为高效紧凑的DC-DC转换器、功率逆变器和电池充电器的理想选择。CISSOID公司还展示了两款额定电流分别为200A和300A的62mm 1200V IGBT功率模块。

CISSOID还在致力于研发碳化硅MOSFET功率模块,并将在未来几个月推出。“这些新产品表明CISSOID致力于提供全面的基于碳化硅的解决方案,包括晶体管、模块和栅极驱动器,以支持行业在新型电动汽车和可再生能源应用中使用高效、轻便、紧凑的功率转换产品,”CISSOID首席执行官Dave Hutton先生表示。“我们正与整车厂和汽车零部件供应商密切合作,为新型碳化硅功率逆变器在新能源汽车中的应用定制栅极驱动器。”他补充道。

更多信息,请访问http://www.cissoid.com/new-products
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