FRAM存储器比ADAS 的传统EEPROM优势更多

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　　行车记录仪 (EDR) 是用于记录事故发生前各个重要子系统数据的系统。可以安装在 ADAS 主控单元，或者安装在另一个接收重要传感器数据并与 ADAS MCU 进行通信的 MCU 中。如今，工程师可以使用多核设备为 EDR 功能提供一个专用的完整 CPU 核，例如赛普拉斯的 Traveo™ 汽车用微控制器。
　　EDR 通过测量汽车前部压力传感器的撞击力、车速、发动机转速、转向输入、油门位置、制动状态、安全带状态（检测乘客）、轮胎气压、警告信号以及安全气囊打开状态，从而判断碰撞严重程度。并且在汽车碰撞前和碰撞期间记录以上数据。显然，微控制器不能等到事故发生才开始记录数据。因此，微控制器需要连续存储数据。所以，EDR 需要一个具有几乎无限写次数的非易失性存储器。
　　FRAM 存储器比 ADAS 的传统 EEPROM 拥有更多优势。无需写等待时，几乎可以实时存储重要数据（实际10us 存储时间），这一点对 ADAS 来说至关重要。EEPROM 通常需要超过 10 毫秒的写等待时间，因此不适用于高安全性应用。FRAM 同时具备无写延迟和高速时钟速度，非常适合需要快速写入大量数据的应用。使用 SPI 时，设计师可以自由决定 FRAM 的写入字节数。把一个或两个字节写入 FRAM 的随机位置时，写入周期约为 1 微秒。反观 EEPROM 或闪存，则需要 5 - 10 毫秒的写入周期。
　　与 EEPROM 或闪存不一样的是，FRAM 无需页面缓冲区。在接收每个字节的第 8 位之后，FRAM 立即写入每个数据字节。这意味着，系统存储器密度增长时，工程师不必担心页面缓冲区大小的变化。
　　就写入耐久性而言，FRAM 可以支持100亿次写操作，远远超过 EEPROM 的 100万次以及闪存 的10万次。因此，FRAM 可以用作追踪数据记录器，可以不断写入数据。此外，FRAM 的写入和读取的消耗功率非常低（例如，1 Mhz 时为 300 微安），因此非常适用于事故引起断电时需要使用低功率备用电源或通过电容写入数据的 ADAS。与其他非易失性存储器相比，FRAM 的待机电流也低得多（通常为 100 微安）。
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