碳化硅MOSFET过去阻碍电源系统设计人员的使用的三个缺点

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　　碳化硅（SiC）是一种宽带隙材料，其性能优势为高压电力系统设计人员所熟知。然而，过去支持它们的产品和供应链的缺点似乎足以让一些设计者不敢冒险在开关电源转换器中使用碳化硅元件。
　　富昌电子这样的分销商处于独特的位置，能够看到在碳化硅MOSFET这样的不断增长的市场中发生的快速变化。现在可以清楚看到，过去可能会阻碍一些设计者的标准碳化硅产品的缺点几乎已经消失了。
　　想要在过去使用硅MOSFET或IGBT的电源电路中成功使用碳化硅MOSFET确实需要重新考虑设计方法。但是，与2014年甚至2015年相比，碳化硅MOSFET的可用性、可靠性和经济性都在2018年得到了显著提高。相对于使用传统硅MOSFET或IGBT、已经无法进步的系统来说，已经准备好使用新的高压系统元器件、敢于冒险的设计人员现在可以获得更多的优势。
　　碳化硅：是时候打破其局限？
　　迄今为止，碳化硅MOSFET的使用一般仅限于非常注重效率、功率密度和较轻的重量，或高温操作的终端产品类型。由于这些原因，碳化硅MOSFET广泛用于：
　　可再生能源发电系统的逆变器
　　深孔钻探设备
　　飞机
　　感应加热系统
　　极低的开关和导通损耗：碳化硅MOSFET的零反向恢复电荷有助于显著提高转换效率。碳化硅MOSFET的导通电阻也比硅片低，导通电阻在整个温度范围内更加稳定。
　　高开关频率：最高操作频率比具有相同额定电压的IGBT高十倍，这意味着碳化硅MOSFET需要更少的电感和电容，从而帮助设计人员减小系统尺寸和重量。
　　高导热性，允许使用更小的散热片，同样有助于减小尺寸和重量。
　　高温工作：为设计人员提供了更大的热管理系统设计空间，并且可以使用更小的散热器。
　　尽管碳化硅材料相对于硅材料具有明显的物理优势，但是，碳化硅在功率晶体管市场上的占有率仍然很小，这可能是由于设计人员对可用性、可靠性和经济性三个因素的担忧所致。过去，这种担忧有合理的基础：碳化硅MOSFET的确曾受到这些缺点的困扰。然而，这三个缺点在目前都已经大大改善，甚至已经完全消失。
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