Diodes 推出新系列高侧/低侧闸极驱动器,采用 SO-8 封装以提供更高效能

发布时间:2019-3-21 07:37    发布者:eechina
关键词: 闸极驱动 , 马达驱动
Diodes 公司 推出全新系列的高电压、高速闸极驱动器,适用于转换器、变频器、马达控制,以及 D 类功率放大器等应用。上述装置适用于最高 100V 的马达驱动应用,同时可支持以 200V 运作的功率转换及反转应用。这些功能使其非常适用于各种消费性与工业设计,包括电动工具、机器人与无人机,以及小型电动车。

DIO936_7022_MR_Image-DGD200.jpg

DGD2003S8、DGD2005S8 及 DGD2012S8 为涵盖半桥与高侧/低侧拓扑的 200V 闸极驱动器,并采用标准低矮型 SO-8 封装。这些装置具有接面隔离位准偏移技术,可建立浮动信道高侧驱动器,用于以最高 200V 运作的自举式拓扑,并可驱动使用半桥组态的两个 N 通道 MOSFET

此系列中的所有装置皆具备包含 Schmitt 触发的标准 TTL/CMOS 逻辑输入,最低能以 3.3V 运作,因此很容易将驱动器连接至控制电路。其输出的设计可承受负瞬态,并包含适用于高侧与低侧驱动器的欠压锁定。

DGD2003S8 与 DGD2005S8 分别具有 290mA 与 600mA 的源极与汲极电流,DGD2012S8 则为 1.9A 与 2.3A,在其范围内皆可维持功率效率。DGD2003S8 具有固定的 420ns 内部停滞时间,而 DGD2005S8 在高侧与低侧之间切换时,最大传播时间为 30ns。

DGD2003S8、DGD2005S8 及 DGD2012S8 皆提供 SO-8 封装,并可在 -40°C 至 +125°C 的宽广温度范围中运作。

详细信息请参阅 www.diodes.com
本文地址:https://www.eechina.com/thread-561581-1-1.html     【打印本页】

本站部分文章为转载或网友发布,目的在于传递和分享信息,并不代表本网赞同其观点和对其真实性负责;文章版权归原作者及原出处所有,如涉及作品内容、版权和其它问题,我们将根据著作权人的要求,第一时间更正或删除。
您需要登录后才可以发表评论 登录 | 立即注册

厂商推荐

关于我们  -  服务条款  -  使用指南  -  站点地图  -  友情链接  -  联系我们
电子工程网 © 版权所有   京ICP备16069177号 | 京公网安备11010502021702
快速回复 返回顶部 返回列表